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紫光集团展出8Gb DDR4 DRAM存储器晶圆

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-08-17
在8月14日召开的第八届中国电子信息博览会(CITE 2020)上,紫光集团以“从芯到云 赋能新基建”为主题,携旗下系列产品亮相,其中包括长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070以及由西安紫光国芯开发的8Gb DDR4 DRAM存储器晶圆。资料显示,该款存储器晶圆是业内首款支持X32 IO规格并兼容JEDEC的DDR4,单颗Die芯片带宽高达10.4GB/s,支持TSV封装可扩展到16Gb容量,内嵌ECC纠错功能,提高可靠性。
根据紫光国芯官网资料,相比DDR3,DDR4通过提高核心频率和Bank Group数量,大幅提高了性能,支持更大容量。同时做到供电电压更低,因此功耗更低。另外DDR4增加了DBI(Data Bus Inversion)、CRC(Cyclic Redundancy Check)、CA parity等功能,让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。
除紫光国芯之外,长鑫存储也是国产内存代表厂商之一,已经于今年2月份正式上线DRAM产品,包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4内存条、2GB/4GB LPDDR4X产品,均符合国际通行标准规范。
长鑫存储表示,相较于上一代DDR3芯片,DDR4拥有更快的数据传输速率,更稳定的性能和更低的功耗,将广泛用于目前主流市场,包括电脑、台式PC、手机、平板、电视、人工智能等消费类电子产品。