2021 年美光资本支出 90 亿美元因应需求，EUV 导入时程仍在评估

面对当前市场对于记忆体的需求，美商记忆体大厂美光（Micron）指出，2021 年美光的资本支出将达 90 亿美元，除了希望因应市场需求，也希望扩厂与采用新技术。针对导入 EUV 的时程，美光强调已进行先期测试，未来希望在最佳时间点导入。

美光执行副总裁兼事业长 Sumit Sadana 在“2021 前瞻技术应用暨市场展望”为主题的线上媒体团访时表示，2021 年美光本支出达 90 亿美元的目标，就是希望供应可以正好符合市场的位元需求成长，不管 DRAM 或 NAND 部分，美光都会持续透过资本支出支援市场需求。而针对 2021 年目前的预期是，DRAM 的成长会在百分之十几，约 15%~19%（High teens），对于 NAND 的成长则预估大概在 30%。美光的资本支出也是会希望能够因应市场的需求，希望美光的产出能够符合市场需求。
除此之外，美光的一部分资本支出也会让我们用来可以有更多的晶圆厂空间，更多的无尘式空间，因为每一代新的技术会使用到的工具、基台都越来越多。美光希望所有的晶圆都是在最好的状态下开始生产，所以也会运用这方面的技术。另外，还有一部分的资本支出会用来扩充美光内部做封测的一些设施，除了自己的封测产能之外，其他的部分也会持续仰赖供应商。
另外，在何时导入 EUV 生产的问题，Sumit Sadana 强调，美光持续评估 EUV 的技术，也跟生产 EUV 机台的厂商合作。目前是处在研发的模式之下，因此一直在评估什么时候是最佳的时机。当 EUV 为最具成本效益、最具经济效益的方式的时候，美光便会将 EUV 技术纳入产品组合里面。
另外，美光向来的纪录就是一直引领业界技术，特别是在使用多重光罩进行微影蚀刻的部分。所以，美光在 DRAM 的部分，在不同的节点上都可以更有成本效益。因为美光在不同部分都做了许多的技术研发，不断地反覆运算，所以美光也是全球最创新的 20 大的公司，拥有的专利数也是数一数二的，使得美光有非常好的技术。而刚刚说到可以使用多重光罩做微影蚀刻，因为这方面的技术非常成熟，所以美光会觉得不需要过早引进 EUV 的技术。但是，当然还是持续在评估，持续地在研发，等到美光认为采用 EUV 技术可提供绝佳成本效益的时候，到时候就会考虑纳入美光 DRAM 制程。