三星将发表512GB DDR5内存 速度提高一倍 省电13%

为以满足资料中心和人工智慧（AI）的需求成长，全球记忆体晶片龙头三星电子今年稍后将发表新一代记忆体晶片，为七年来首见。该公司表示，这款新晶片的速度将提高一倍，容量也更大。
三星25日表示，已研发出业界首个采用高介电层／金属闸极（HKMG）制程的512GB DDR5记忆体模组。根据声明内容，DDR5记忆体速度是目前DDR4的两倍，能降低漏电功耗，以及省电13%。
三星预期今年下半年将开始改采DDR5。晶片产业预期，英特尔代号为Sapphire Rapids的下一代Xeon Scalable处理器将支援DDR5。彭博报导，除了与全球两大中央处理器（CPU）制造商英特尔和超微（AMD）合作外，三星已寄送这款新记忆体晶片的样本，给资料中心平台开发商。
彭博行业研分析师说，一个新DRAM世代将在2021年稍晚或2022年登场，为六至七年来首见。新晶片的速度更快、耗电更少，而且可靠性更高，将在即将到来的AI世纪，提供高效能的运算。
三星DRAM记忆体企业副总裁孙宁洙（音译）表示，DDR5应用的领域包括医疗研究、金融市场、自驾车、智慧城市等。
分析师预估，DDR5晶片将比DDR4大20％，将加重半导体供应链的压力。三星打算今年开始出货，并逐步增进制程技术。三星并预期，DDR5最快将在2023年下半年取代DDR4。