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看好中国市场 SK海力士·英特尔芯片项目大连开工

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-05-18
5月16日,SK海力士·英特尔DMTM半导体(大连)公司非易失性存储器项目在大连金普新区开工。该项目将建设一座全新的晶圆工厂,从事非易失性存储器3D NAND芯片生产。
开工仪式上,SK海力士半导体(中国)公司总裁郑银泰表示,SK海力士将中国视为重要的合作伙伴,并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时,SK海力士还通过追加投资,对无锡、重庆工厂进行了产能扩充,并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。
他表示,本次新建项目不仅有利于提升大连工厂自身的产业竞争力,还有助于保障中国市场供应链稳定。后续,SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作,按计划完成新工厂建设,将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。
英特尔大连始建于2007年,在建厂之初生产65纳米逻辑芯片,在2016年后转产3D NAND芯片。作为英特尔目前唯一非易失性存储芯片研发与生产基地,其最先进的144层存储产品就是在大连工厂完成研发生产。截至2022年初,英特尔大连总投资超过120亿美元。
2020年10月,韩国SK海力士宣布以90亿美元收购英特尔NAND闪存及存储业务。该收购含英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务,这其中也包括位于中国大连的芯片厂。
非易失性存储芯片是指在断电情况下,依旧能保存数据的芯片。非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。