看好中国市场　SK海力士·英特尔芯片项目大连开工

5月16日，SK海力士·英特尔DMTM半导体（大连）公司非易失性存储器项目在大连金普新区开工。该项目将建设一座全新的晶圆工厂，从事非易失性存储器3D NAND芯片生产。
开工仪式上，SK海力士半导体（中国）公司总裁郑银泰表示，SK海力士将中国视为重要的合作伙伴，并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资，对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。
他表示，本次新建项目不仅有利于提升大连工厂自身的产业竞争力，还有助于保障中国市场供应链稳定。后续，SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作，按计划完成新工厂建设，将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。
英特尔大连始建于2007年，在建厂之初生产65纳米逻辑芯片，在2016年后转产3D NAND芯片。作为英特尔目前唯一非易失性存储芯片研发与生产基地，其最先进的144层存储产品就是在大连工厂完成研发生产。截至2022年初，英特尔大连总投资超过120亿美元。
2020年10月，韩国SK海力士宣布以90亿美元收购英特尔NAND闪存及存储业务。该收购含英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务，这其中也包括位于中国大连的芯片厂。
非易失性存储芯片是指在断电情况下，依旧能保存数据的芯片。非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。