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DRAM市场恐旺季不旺 南亚科除息挫败

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-07-01
中国台湾南亚科周四为除息首日,每股配发现金股利3.7元,除息参考价为53.4元,不料受台股大跌掼破万五,除息首日挫败,南亚科开低走低,一度摔至48.5元的近两年新低点,收跌7.49%报49.4元,失守50元面临贴息窘境。三大法人方面,外资已连16日卖超4.5万张,投信、自营商也终结连日买超,周四遭三大法人共卖超4496张。
科技产业终端需求停滞,PC用DRAM因PC OEM厂下修出货目标,DRAM库存飙升;DRAM库存上升,第3季DRAM报价可能下跌3%至8%,部分产品跌价超过10%,DRAM市场恐呈现旺季不旺。智慧手机应用方面,行动记忆体位元供给量未下降,单机平均搭载容量未提升,呈现供过于求。正面虽看是半导体供应链缺料问题舒缓,但负面冲击是全球企业营运面临通膨、经济衰退与疫情起伏等挑战,供应链采购转趋审慎,零组件需求降低,科技产业终端需求停滞,从面板、驱动IC到DRAM持续扩散。
南亚科豪掷3000亿元,新建12吋晶圆厂,南亚科董事长吴嘉昭表示,为了掌握DRAM关键技术,南亚科五年来研发经费增加3倍,研发人力也扩充至千人规模,全球累计专利数超过5000件。10奈米级第一代1A技术及产品预计于今年下半年量产,第二代1B技术及产品已进入试产,并已展开第三代1C技术以及应用于1D的EUV技术研发工作。投入3000亿元的新厂预计3年内要正式投产,完成后,年产能可望达到50万片,年产值可以增加700亿元以上。新厂第一个会先导入第二世代,但很快就会快速导入第三世代,第三世代也在现在厂准备中,而新厂就是布局第二、三世代,接下来会观察客户需求和市场走向。
不过董事长也提到,美国5月通膨飙至8.6%,创下40年新高,加上先前上海疫情造成生产长短料状况、地缘战争等,都持续加剧着通膨问题,更冲击手机、个人等消费性产品缩手,影响销售。
南亚科总经理李培锳表示,第三季市场将面临通膨、封控、战争带来的影响,都一再冲击消费性,预估下半年挑战较大,但波动是正常的,未来营运上,南亚科也有多元化应变,产品线市场都建立在八百多位客户上,对于明年市场恢复状况,也可望更进一步成长。
关于EUV发展以及用电方面状况,李培锳也早先提到,EUV用电稍微高一点,但整个需求用电都取得核备,南亚用电也积极发展绿能、再生能源,且购买未来十年要用再生能源,对于用水、用电都不是大问题。
未来规画新厂有三千个工作机会,但现阶段半导体人才难聘,李培锳说明,现在已经开始筹备工作,并在现有厂执行训练计划,会经过多年筹备,过去也执行许多策略计划,先前人才流失也逐步稳定中。
DRAM产业发展,下半年多少受到通膨影响,走向保守,短期恐怕会有影响,但长期下,因为它应用还是很多,如云端、智慧化等,可望长期发展顺利。对于今年销售、营运来看,李培锳表示,下半年压力较大,第三季最剧,若通膨续延烧,对第四季也可能烧到,今年度恐怕微幅衰退,目前仍持续努力中,公司也会做相关因应。