DRAM 发明人 Robert Dennard 辞世

DRAM 发明人 Robert Dennard 辞世，缩放定律影响半导体 30 多年
DRAM 存储器发明人Robert Dennard于 2024 年 4 月 23 日逝世，享寿 91 岁。
根据 IBM 官网指出，Robert Dennard 于 1932 年 9 月 5 日出生于美国德州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院电气工程博士学位，并加入 IBM 担任研究员。他早年在 IBM 工作，研究金属氧化物半导体场效电晶体 (MOSFET) 设计和电路应用。而在 1960 年代，电脑对存储器的需求日渐提升，与此同时流行的磁芯随机存取存储器正面临密度、成本、性能的极限。
当时，Robert Dennard正在 IBM 从事金属氧化物半导体（MOS）存储器的开发，但此时的方案存在速度过慢、消耗过大晶片面积的问题。因此，在一次偶然中，Robert Dennard 脑中浮现了一个灵感，觉得可以使用单个电晶体中电容器的带电正负记录数据，并通过反复充电实现数据的动态刷新。这一概念在测试成功后成为日后 DRAM 存储器的基础。
Robert Dennard 和 IBM 于 1968 年获得了 DRAM 专利，该技术在 1970 年投入商用后，以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯随机存取存储器迅速退出市场，并推动了资讯电信技术的快速进步。另外，DRAM 存储器还与第一批低成本微处理器一同加速了电脑的小型化，以 Apple II 为代表的早期个人电脑得以在商业上获得成功，也为现在的行动设备打开了市场。
Robert Dennard 过去还提出了著名的登纳德缩放定律，指出电晶体变得越来越小之际，它们的功率密度将保持不变，因此功率的消耗与面积成反比，电压和电流则与长度成反比。这条规律统治了半导体业界 30 多年，同摩尔定律、阿姆达尔定律并称为半导体产业的三大定律。