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三星希望透过新铁电材料,实现超过千层NAND

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-05-14

三星电子计划实现“PB 级”记忆体目标,高层曾预期,V-NAND 在 2030 年叠加千层以上。最新消息指三星考虑用新“铁电”材料(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。

三星近期 NAND 市场计划,包括高达 290 层的堆叠第九代 V-NAND 快闪记忆体,明年推 430 层第十代 NAND 记忆体。韩国研究人员于檀香山国际会议提到的最新解决方案,可能有助三星实现千层 NAND 技术,使 PB 级固态硬碟(SSD)目标不远。
韩国科学技术院(KAIST)于全球超大型积体技术及电路国际会议展示铁电材料研究成果。最近人们也对铁电材料材料充满兴趣,尤其电脑产业,因铁电特性可能有助开发更小、更高效的电容器和记忆体设备。
三星并没有直接参与研发,但传与其有直接关系,虽然还不能确定 Hafnia Ferroelectrics 是否导致 PB 级记忆体设备诞生,但可能发挥主导作用,最终达到里程碑。