三星电子宣布首款1Tb QLC第九代V-NAND正式量产
三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产
三星电子今日宣布,其首款1TB四层单元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式进入量产阶段。今年四月,三星也启动了三层单元(TLC)第九代V-NAND的量产。此次QLC第九代V-NAND的量产进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。
三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示:“在距上次TLC版本量产仅四个月后,我们成功启动了QLC第九代V-NAND的量产,这使我们能够提供满足人工智能时代需求的完整SSD解决方案。随着企业级SSD市场对人工智能应用需求的不断增加,我们将通过QLC和TLC第九代V-NAND继续巩固三星在这一领域的市场地位。”
三星计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,以服务包括云服务提供商在内的广泛客户群体。
技术突破亮点:
通道孔蚀刻技术(Channel Hole Etching)在双堆栈架构下实现了当前业内最高的单元层数。三星运用在TLC第九代V-NAND中积累的技术经验,优化了存储单元面积及外围电路,使得存储密度较上一代QLC V-NAND提升了约86%。
预设模具技术(Designed Mold)通过调整存储单元的字线(WL)间距,确保同一单元层及层间存储单元的特性一致。由于V-NAND层数的增加,存储单元特性变得更加重要。采用该技术使得数据保存性能比之前版本提升了约20%,显著增强了产品的可靠性。
预测程序技术(Predictive Program)能够预测并控制存储单元状态变化,减少不必要的操作,使第九代QLC V-NAND的写入性能翻倍,数据输入/输出速度提升60%。
低功耗设计技术(Low-Power Design)使得数据读取功耗分别下降约30%和50%。该技术通过降低驱动NAND存储单元所需电压,仅感测必要的位线(BL),从而尽可能减少功耗。