机构预测：2026年Q3 DRAM位元出货量持续微增，供需缺口支撑价格上行
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-09-07
根据第三方机构发布的最新存储器产业研究数据，2026年第二季度，受通用型DRAM合约价显著上涨的推动，全球DRAM产业营收环比增长59.5%，逼近1547.3亿美元。这一增长的核心动力来自于大型语言模型（LLM）训练与AI推理需求的激增，直接带动了高带宽存储器（HBM3e）、低功耗双倍数据速率存储器（LPDDR5X）以及高容量寄存器双列直插内存模块（RDIMM）的出货同步成长。此外，“代理式AI”（Agentic AI）应用的兴起，也进一步带动了各容量规格RDIMM的拉货动能。
在供给端，原厂库存已处于谷底位置，且新增产能优先满足利润更高的服务器应用，导致第二季度整体DRAM位元出货量仅呈现小幅增长。展望第三季度，机构预测单季位元出货量将持续小量增加。然而，价格方面因部分大容量RDIMM需求向中低容量产品转移，加之个人电脑（PC）与智能手机客户对高价位的承受能力受限，预期通用型DRAM价格涨幅将收窄至13%-18%。其中，原厂大幅收紧供给的消费型DRAM涨幅预计最为显著。
从厂商表现来看，Samsung因率先导入HBM4量产并出货，第二季度位元出货量增幅居三大原厂之首，且平均销售单价（ASP）大幅提升，季度营收达609.8亿美元，以39.4%的市占率排名第一。SK hynix营收位居第二，由于其HBM占公司整体出货位元比重最高，ASP增幅受限，第二季度营收环比增长37.9%至385.9亿美元。Micron在产能受限的情况下，产品组合持续向高单价的服务器DRAM倾斜，第二季度营收环比增长65.5%至360亿美元。
与此同时，主攻成熟制程的厂商如南亚科、华邦电等，其第二季度动能主要来自于前三大原厂转换制程后留下的市场需求缺口。南亚科的DDR4、DDR3合约价显著提高，整体营收环比增长68.3%。力积电以消费型DRAM产品为主的营收在第二季度更是实现了167.8%的惊人环比增幅。
在供给端，原厂库存已处于谷底位置，且新增产能优先满足利润更高的服务器应用，导致第二季度整体DRAM位元出货量仅呈现小幅增长。展望第三季度，机构预测单季位元出货量将持续小量增加。然而，价格方面因部分大容量RDIMM需求向中低容量产品转移，加之个人电脑（PC）与智能手机客户对高价位的承受能力受限，预期通用型DRAM价格涨幅将收窄至13%-18%。其中，原厂大幅收紧供给的消费型DRAM涨幅预计最为显著。
从厂商表现来看，Samsung因率先导入HBM4量产并出货，第二季度位元出货量增幅居三大原厂之首，且平均销售单价（ASP）大幅提升，季度营收达609.8亿美元，以39.4%的市占率排名第一。SK hynix营收位居第二，由于其HBM占公司整体出货位元比重最高，ASP增幅受限，第二季度营收环比增长37.9%至385.9亿美元。Micron在产能受限的情况下，产品组合持续向高单价的服务器DRAM倾斜，第二季度营收环比增长65.5%至360亿美元。
与此同时，主攻成熟制程的厂商如南亚科、华邦电等，其第二季度动能主要来自于前三大原厂转换制程后留下的市场需求缺口。南亚科的DDR4、DDR3合约价显著提高，整体营收环比增长68.3%。力积电以消费型DRAM产品为主的营收在第二季度更是实现了167.8%的惊人环比增幅。
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