“三足鼎立”的DRAM芯片市场是如何形成的？

在整个电子产业链中， 存储芯片 扮演着至关重要的角色，它好比行军打仗的粮草，也被誉为电子系统的“粮仓”。存储芯片分为闪存和内存，闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，内存主要为 DRAM，本文将主要给大家讲解DRAM芯片市场及“三足鼎立”的局面是如何形成的。

多年未变的DRAM市场格局

DRAM内存主要用于电脑、手机和部分 消费电子 产品，据相关数据统计，2017年全球DRAM市场达568亿美元，较2016年增长38.0%。目前DRAM市场被韩国三星、海力士和美国镁光三家垄断，占据八成以上的份额，最巅峰的时候它们三家垄断全球DRAM市场95%的市场份额。据OFweek 电子工程 网了解到，三星在DRAM市场称霸多年，已连续多年霸占市场第一，市场份额过半。

韩国的DRAM内存发展迅速，并占领全球一半以上的市场，一方面得益于它们对这块市场的重视和提前布局，另一方面在于三星和海力士强大的技术支持。美国本来就是半导体的发源地，再难的技术也难不倒它们。曾经有段时间，台湾的DRAM企业风起云涌，试图挑战这三巨头的地位，也出现了南亚、力晶、力积、珏创、晶豪等有一定影响力的企业，但终因这三家巨大的实力而无法撼动其地位。

2018年DRAM内存市场仍然有很大增长空间，最近三星公布的第三季度财报显示，DRAM内存为其带来了丰厚的营收和利润，今年除了电脑、手机等传统需求，智能电子产品和汽车是一个关键的驱动力。

造成DRAM市场“三足鼎立”的原因

一、技术难度高、研发周期长、投入大

存储器产品有自身的特点，它的设计投入非常大，同时研发周期也很长，当然它的成本和售价也不低。DRAM芯片的研发难度很高，是典型的尖端科技产品。DRAM的技术难度在于随着半导体制程的减小，电容器会受到直接穿隧电流的因素而难以微缩，且电容值也难增加。有专家预测，15nm是接近DRAM的物理极限，未来若想缩小线宽，只得开发新的材质。

随着半导体制程的缩写，DRAM芯片的研发周期增长了，以三星为例，它们正在研发的17nmDRAM预计明年进入量产阶段，但16nmDRAM的研发最快量产时间也要达到2020年，制程提升后面的研发难度会越来越大。

DRAM技术的投入太大导致很多企业无法承受，动辄几百亿。据悉，三星曾投资近百亿美金加大研发最新的DRAM技术。而国内的合肥长鑫与兆易创新联合投入百亿研发技术，这也让很多企业望而却步。

二、市场和工艺的更新周期太快

市场对DRAM芯片的需求也不是一成不变，从电脑到手机，再到汽车、消费电子，再到智能产品等，DRAM市场的变化也让中小企业步步为难。DRAM芯片从70nm到16nm，再到10nm等，由于薄膜厚度无法继续缩减，靠缩减尺寸很难提升性价比，工艺上的创新才是当前进步的关键。

三、跨不过的“专利坑”

对于初创企业而言，专利一直是半导体领域越不过的坎。美光半导体和福建晋华就因为专利问题，双方弄得不愉快。据悉，美光的多款自有品牌产品涉嫌侵害晋华专利，包含2TB 、500GB 的固态硬盘和相关侵权芯片。

三星和海力士在这个领域拥有很多的专利，三星早在上个世纪初开发出了全球第一个生产DRAM 内存芯片 的70纳米技术，当时已经为这个新技术申请了一项专利，如果想成为DRAM市场的巨头，除了与它们合作，其它的办法就是越过它们研发的专利，另辟蹊径。

四、独有工厂是这个市场的特点

三星、海力士和美光三家企业均拥有自己的DRAM内存芯片工厂，它们拥有自己的工艺。而对于很多中小型DRAM企业，没有工厂，很难保证产品良率和性价比。如三星每个月是350万片，假设投片没有大幅度增加，则必须要靠工艺来维持年成长，SK海力士和美光的工艺工厂也均有自己的优势。国内近年来也有很多企业建厂，但都是小批量，很难保证大产能的DRAM芯片的良率。

垄断格局仍未改变

三家企业垄断一直是这个行业的特点，正因如此，多年来DRAM芯片涨价不断，这些企业赚翻了天，净利润高达50%以上，三星甚至达到了80%。对于很多中小企业而言，它们也想改变DRAM市场的格局，很多国家想过通过“反垄断”改变行业现状，但仍旧无济于事。