全球第一个256G的3DS RDIMM亮相三星技术日

三星电子17日在美国硅谷的美洲法人（DSA）办公大楼举行了「三星技术日2018」活动，发表全球第一个256GB的3DS RDIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）之外，大家所关注的7纳米工程，也即将进入正式量产的阶段，同时，在人工智能不断被提起的新时代中，三星也提出了新一代半导体解决方案。

三星技术日打着「三星是所有一切的心脏」（Samsung The Heart of Everything）的口号，继去年首办之后，今年也盛大的举行这次活动，包含全球IT企业、媒体、股市分析师等，超过500多人参加此次活动。

在活动上，三星也公开发表新产品，包含全球第一个256GB的3DS RDIMM，针对工作站和服务器市场又提供了更高规的选择；以及企业用7.68TB级4位服务器SSD（固态硬盘）和第6代VNAND（快闪存储器）技术以及2代Z-SSD（Z-NAND快闪存储器）。在存储器市场中，性能上又做了更多的升级。

尤其3DS RDIMM是服务器DRAM，制造方式是通过硅3D堆叠技术，可以高速运转服务器用的DRAM，与现行产品相比（128GB RDIMM）相比，容量提高2倍，功耗效率提高30％。

在商品规格上做各种升级的同时，三星也针对近年来的趋势，整合不同的需求，提出新的解决方案，比如针对公司方面，能够提供一个特定的密钥值SSD，或是引入近年来流行的人工智能，拥有学习力的智能SSD，以及高网速用的SSD结合储存大数据用的的NVMeoF SSD。

在半导体量产的方面，目前三星计划使用在京畿道的平泽生产线，在量产规模上可以持久的扩大产量，用以积极应付VNAND和DRAM需求。代工部门也宣布已完成新的制造厂，可以开始着手通过极紫外线（EUV）曝光技术，来开发7纳米工程（7LPP）。

对此，企业相关人士表示，7纳米工程是三星电子是第一次使用极紫外线的纳米工程，而且在7纳米工程正式商用化之后，当然下一个就是期盼能开发出引领工艺微细化的3纳米工程。

这次的活动三星许多高层都有参加，包含美洲区执行副总裁崔住善、DRAM开发室副总经理张成镇、Flash开发室副总经理季庆铉、解决方案开发室副总经理郑载宪，以及商品企划组专务韩振万等人都出席了会议，可见三星对于这次新发表的重视度，美洲区执行副总裁崔住善表示，随着大数据分析和人工智能技术正式开始生产，对于新一代IT市场也在不断革新，对此，三星会向引领全球IT市场的客户，公开半导体市场发展的可能性和新一代产品。