海力士砸120兆韩圜建4座半导体厂 扩大技术差距

周三 (21 日) 南韩记忆体大厂海力士 (SK Hynix) 宣布，将计划在 2022 年之后的十年之内斥资 120 兆韩圜，于南韩龙仁市建造四座半导体工厂，海力士发言人表示，目前规划龙仁市新厂主要产品将是次世代的储存记忆体及 DRAM 晶片。

目前海力士已经递交了投资意向书，而该项投资计划约占地 450 万平方公尺，估计未来共有 50 家半导体材料商、设备商等都将进驻该区，进而打造成全球最大的半导体聚落。

海力士指出，也将在未来十年内，继续投资现有的两座南韩利川、清川半导体厂共 55 兆韩圜，扩大产能，但中国无锡厂则是尚未决定是否扩厂。

海力士发言人表示，本次计划是海力士长达十年的投资规划，未来策略可能视市场状况改变，但现行目标为新厂将生产 DRAM 记忆体和次世代记忆体。

南韩券商 Mirae Asset Daewoo 分析师亦分析，虽然目前来自自驾车的晶片需求仍不足，但估计在未来十年间，自驾车晶片市场需求将大幅成长，可望为海力士创造更多的记忆体晶片需求。

中、韩的半导体竞争：

近年来，中国在半导体大基金的筹资带动下，早已介入进半导体记忆体领域，虽然目前全球记忆体产业仍以三星电子、海力士二大巨头为首，但据 2018 年南韩产业技术振兴院发布 (KIAT) 的报告显示，虽然中国半导体技术仍然落后，但中国已可以透过 30、40 奈米技术，生产非伺服器或行动记忆体晶片。

南韩产业技术振兴院该份报告并指出，若中国自产的 DRAM、NAND Flash 记忆体开始逐步量产进入市场，那么估计将冲击韩国记忆体产业 78 亿美元，其中冲击 DRAM 产业 67 亿美元、NAND Flash 产业 11 亿美元。

据南韩媒体《DDaily》去年 11 月报导，目前中国长江存储在 NAND Flash 技术上已经获得突破，估计在 2019 年 Q4 即能够量产 64 层堆叠的 3D NAND Flash 快闪记忆体，但预计量产规模不会太大，因长江存储的最终目的，是希望在 2020 年跳过 96 层堆叠技术，快速切入 128 层堆叠 3D NAND Flash 快闪记忆体量产。

面对中国来势汹汹的进攻，市场分析，由于这次中国受到美国政府针对《中国制造 2025》的“科技禁售令”打压，例如将中国福建晋华列入出口管制清单，“禁售令”已造成中国 DRAM 厂今年的投产计划延后，中国 DRAM 在短期内可能很难讨论到量产事宜，而本次韩厂扩大投资，即是希望趁此拉开与中国的技术与产能差距。

南韩海力士的大规模投资，估计将加剧南韩与中国在半导体产业上的军备竞赛，目前南韩是全球最大的半导体记忆体出口国，而中国方面则是全球最大的晶片消费国，中国正极力增加半导体投资，以降低进口依赖程度。

上周南韩财长 Hong Nam-ki 亦表示，南韩政府将加速审批相关的半导体投资案，以加快南韩半导体企业的投资进程，预期南韩与中国在记忆体产业上的碰撞，将会越来越激烈。