不用EUV设备，SK Hynix 1znm 16Gb DDR4生产率提高约27%

SK Hynix宣布采用第三代10nm级（1znm）工艺开发出16Gbit DDR4。

通过在单个芯片上实现业界大容量的16Gb，单个晶片上生产的容量也是现有DRAM中最大。与第二代（1ynm）产品相比，生产率提高了约27%。

随着半导体工艺技术的发展，必须利用极紫外EUV设备制作更精细的电路，但SK Hynix第三代10nm级工艺无需昂贵的EUV设备即可生产。

DDR4规范的最高速度支持3200Mbps的数据传输速率，与第二代8Gb产品生产相同容量的DRAM产品相比，功耗降低了约40%。

重要的是，第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容，电容是指存储电荷的数量/容量。随着DRAM电容的增加，数据的保留时间和一致性也会增加，这是DRAM的关键要素。另外，已经引入了新的设计技术以提高稳定性。

SK Hynix表示：第三代10nm级DDR4是满足行业客户寻求高性能/大容量DRAM的最佳产品，我们将在今年内做好批量生产的准备，并于2020年开始全面供应，并将积极响应市场需求。”

同时，SK海力士计划将第三代10nm级技术扩展到各种应用，例如下一代移动LPDDR5和HBM3。HBM是一种高性能产品，使用TSV技术作为高带宽存储器，比传统DRAM数据处理速度更快。

在DRM市场上，三星、SK海力士、美光合计占据超过90%以上的市占份额，相较于SK海力士，三星、美光早已投入了1znm工艺量产DRAM。

不过，在2019年3月份，三星宣布开发出的是第三代10纳米级（1znm）8Gb DDR4，而且也不使用极紫外光刻（EUV）设备处理，就突破了DRAM的技术挑战。新的1znm 8Gb DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上，计划在下半年开始量产，2020年满足企业服务器和高端PC应用的DRAM需求。

美光科技则是在2019年8月份宣布大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品，与前几代基于8Gb DDR4的产品相比，功耗降低约40%。美光在1Znm工艺世代以后，还将有1αnm、1βnm、1γnm进行微细化的工艺。

DRAM 1znm技术的发展，推动的是对DRAM容量和性能的提升，将满足服务器和PC市场需求，未来还将推出1znm的LPDDR5满足高端手机市场需求，迎接5G手机的到来。