六领域需求热 催动存储器景气

 贸易争端变数导致下游拉货保守、主要晶片供应商库存水位升高，以及英特尔处理器缺货，是先前DRAM与NAND这两大记忆体价格急速下跌的主因。

随着三星等大厂库存明显去化，英特尔处理器缺货逐步纾解，美中贸易战也朝理性寻求解决等方向发展，三大负面变数影响淡化，国内记忆体大厂普遍认产业低谷已过，也让记忆体产业阴霾逐渐消散。

需求面方面，随着全球加速5G商转脚步，带来更多智慧化新应用，也为DRAM和NAND市场点燃另一波产业大循环升温火苗。记忆体业界认为，企业线上交易、AI、自驾车、云端大数据、行动装置、物联网等六大领域新应用对记忆体需求强劲，缺货潮应会很快就会重现。

现阶段记忆体应用，已挥别过去高度依赖个人电脑的时代，行动装置大幅提高搭载量，已取而代之。可预期明年及未来，高阶智慧手机在DRAM和NAND的位元成长仍会快速攀升。

业者透露，面对海量般的数据需求，驱策行动通讯推向5G，也为各项领域加速智慧化，带动AI快速发展，需要更快速的核心运算晶片和云端伺服器，以及布建更多的资料中心。

在这个过程当中，如何将海量的数据、影像转化为有用的资讯，让AI在数据分析过程当中扮演要角，记忆体角色吃重。