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国产存储芯片突围艰难,预计2025年会有质的提升,产能占全球12%

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-02-14
国金证券近日研报分析认为,目前预估国产存储芯片占全球存储器DRAM+NAND半导体市场的份额在2022年应该不会超过5%,到2025年预计可达12%。即5年后,国产的内存及闪存才能在全球市场上拿下10%以上的份额,相比现在会有质的提升。
但是总体来看,国产闪存、内存依然是少数派,对市场的影响恐怕还会远远落后于三星、美光、东芝等公司。
其实,2019年国产的内存及闪存都取得了重要进展,例如,长江存储量产了64层堆栈3D闪存,合肥长鑫量产了DDR4内存。此外,紫光也会在2021年进军内存市场,这是国内最重要的三支存储芯片力量。
但目前来看,国产存储芯片的产能爬坡依然是个长期而且艰巨的任务,至少需要数年时间才能对全球市场产生影响。
国金证券指出,合肥长鑫、长江存储等国内大厂量产初期,良率不佳,再受到新冠病毒的影响,设备验收及装机都将有所延迟,预计长江存储美国、日本、欧洲的半导体设备移入将延迟数月。
此外,国内公司设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个时代的差距,比如长江存储的64层NAND与三星、海力士、Kioxia、美光的96/112/128层NAND相比;合肥长鑫的1xDRAM与三星、海力士、美光的1zDRAM相比,品质、规格种类、数量、成本及其价格均不具市场竞争力。
基于此,国金证券目前预估其全球存储器DRAM+NAND半导体市场份额在2022年应该不会超过5%,2025年预计可达12%。