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100TB 轻松啦 ! Intel 正在研发 PLC NAND 记忆体,现时最高の储存密度

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-06-02
早前我们曾报导过各家记忆体生制商已经开始研发更高储存密度的 PLC NAND 记忆体颗粒,而 PLC 记忆体的可达现时的 1.9 倍。对于厂商而言,QLC 的记忆体其实已成为主流了,而下一步就是要推动更低成本的 PLC。
而 Intel 在 NAND Flash lash 记忆体一直与 Micron 合作,但后期却分道扬镳了,他们最后合作的就是 96-Layer 3D 颗粒,分别有 TLC 及 QLC 两种规格。而当中 QLC 的容量更可达 1024 Gbit,换算下储存密度达到 8.9 Gbit / mm2,为目前 3D NAND 记忆体中最高的水平。
而之后的 144-Layer 记忆体 Intel 则改为自行研发,因 Intel 与 Micron 所坚持的技术有所不同,前者坚持 FG 浮栅极技术,制造难度更高,但可靠性、效能更好。144-Layer 记忆体还是以 QLC 为主,但 Intel 其后将导入 PLC (即每 cell 5 个电荷),进一步提升密度,而代价写入速度与可靠性再下降。
由 QLC 到 PLC 容量提升 25%,而 96-Layer 到 144-Layer 可以提升 50%,总括下来 PLC 提升了 87.5%,这么大的诱因,所以一众厂商都不会放弃 PLC 的研发。与目前最顶级的 QLC 相比,PLC 有近 2 倍的容量提升,现时常见的就是 1TB、2TB,但到了 PLC 的时代,估计将会由 4TB 起跳,最大容量超过 100TB 也不是难事,毕竟目前 TLC SSD 已经做到 32 – 64 TB。