100TB 轻松啦 ! Intel 正在研发 PLC NAND 记忆体，现时最高の储存密度

早前我们曾报导过各家记忆体生制商已经开始研发更高储存密度的 PLC NAND 记忆体颗粒，而 PLC 记忆体的可达现时的 1.9 倍。对于厂商而言，QLC 的记忆体其实已成为主流了，而下一步就是要推动更低成本的 PLC。

而 Intel 在 NAND Flash lash 记忆体一直与 Micron 合作，但后期却分道扬镳了，他们最后合作的就是 96-Layer 3D 颗粒，分别有 TLC 及 QLC 两种规格。而当中 QLC 的容量更可达 1024 Gbit，换算下储存密度达到 8.9 Gbit / mm2，为目前 3D NAND 记忆体中最高的水平。

而之后的 144-Layer 记忆体 Intel 则改为自行研发，因 Intel 与 Micron 所坚持的技术有所不同，前者坚持 FG 浮栅极技术，制造难度更高，但可靠性、效能更好。144-Layer 记忆体还是以 QLC 为主，但 Intel 其后将导入 PLC (即每 cell 5 个电荷)，进一步提升密度，而代价写入速度与可靠性再下降。

由 QLC 到 PLC 容量提升 25%，而 96-Layer 到 144-Layer 可以提升 50%，总括下来 PLC 提升了 87.5%，这么大的诱因，所以一众厂商都不会放弃 PLC 的研发。与目前最顶级的 QLC 相比，PLC 有近 2 倍的容量提升，现时常见的就是 1TB、2TB，但到了 PLC 的时代，估计将会由 4TB 起跳，最大容量超过 100TB 也不是难事，毕竟目前 TLC SSD 已经做到 32 – 64 TB。