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应材新推蚀刻系统 主攻3D NAND、DRAM与逻辑晶片

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-08-10
应用材料公司宣布为先进记忆体与逻辑晶片推出全新Sym3蚀刻系统,能用于3D NAND、DRAM与代工逻辑节点的关键导体蚀刻应用,已出货5000个Sym3反应室,是公司史上量产最快速的产品,为协助客户打造先进记忆体与逻辑晶片再下一城。

应用材料公司宣布,在极为成功的Centris Sym3蚀刻产品系列中加入一项新产品,能帮助晶片制造商精准图形化,在尖端记忆体晶片与逻辑晶片中打造出尺寸体积更小的功能,这项全新系统已为全球多家领先的NAND、DRAM与代工逻辑客户所采用。
全新的Centris Sym3 Y是应材最尖端的导体材料蚀刻系统,运用创新的射频脉冲技术,依据客户需求提供非常高的材料选择比、深度控制与轮廓控制,在3D NAND、DRAM与逻辑晶片中打造出最密堆叠的高深宽比结构,包括FinFET(鳍式电晶体)和新型的闸极全环(gate-all-around)架构。

Sym3蚀刻系统自2015年推出以来,已成为应材史上量产最快速的产品,公司才刚出货第5000个反应室。Sym3产品系列是应材策略成功的关键,提供客户打造与材料图形化的新方法,协助推出新颖 的3D结构,以及持续微缩2D结构的新方法。

应材运用独特的CVD图形化薄膜,与Sym3系统进行共同最佳化,促进客户增加3D NAND记忆体元件中的层数,并减少四重图形化在DRAM应用层所需的步骤,结合应材的尖端电子束检测技术,希望加速业界最先进节点的研发及高产能的生产,协助客户改善晶片功率、性能、面积成本及上市时间。