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铠侠在2020年全国发明表扬计划中荣获发明奖记忆体解决方案的全球领导者

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-09-26
铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布,该公司因发明高密度3D快闪记忆体装置及其制造方法(专利号码5016832)而获得日本“全国发明表扬计划”(National Commendation for Invention)的2020年“帝国发明奖”(Imperial Invention Prize),其发明可显著增加记忆体容量和降低制造成本。
该奖项由日本发明与创新协会(Japan Institute of Invention and Innovation)举办,表明快闪记忆体在从智慧型手机到资料中心的资料储存应用中的重要性。全国发明表扬计划旨在赞赏那些因出色表现而已经或有望取得实质性成就的杰出发明、创意或设计。帝国发明奖是该计划的最高奖项。
得奖者(除另有说明外均为铠侠员工)
帝国发明奖:
. Masaru Kito,高级记忆体开发中心小组经理
. Hideaki Aochi,储存技术研究与开发研究所资深专家
. Ryota Katsumata,高级记忆体开发中心总经理助理
. Masaru Kido,记忆体开发策略部首席专家
. Hiroyasu Tanaka,高级记忆体开发中心首席专家
. Nitayama Akihiro(前东芝株式会社)
实施成就奖:
Nobuo Hayasaka,总裁兼执行长
铠侠的三维快闪记忆体技术还因为对高密度三维快闪记忆体的创新且持续的贡献,而获得中部地方发明表扬计划的2019年文部科学大臣奖,以及2021年IEEE Andrew S. Grove奖。
传统二维快闪记忆体技术的储存单元以二维结构排列,其中作为储存资料最小单位的储存单元布置在平面方向上。将储存单元小型化可以增加单位面积的储存容量,从而获得更大的容量并降低生产成本。但小型化正在接近其物理极限。
铠侠屡获殊荣的三维快闪记忆体技术采用突破性方法,大幅简化了垂直堆叠储存单元以实现高密度3D快闪记忆体的制造过程。传统堆叠需要重复沉积和图案化制程来制造记忆体单元阵列,而铠侠的3D快闪记忆体技术首先堆叠用于制造储存单元的材料,然后使用一次性图案化制程同时制造每个单元,让加工步骤显著减少。
大容量、高性能的三维快闪记忆体现在是市场上的一流技术。继2015年48层BiCS FLASH™三维快闪记忆体商业化之后,铠侠已进一步开始大量生产64层和96层超高密度快闪记忆体。
关于铠侠集团
铠侠是记忆体解决方案的全球领导者,致力于开发、生产和销售快闪记忆体及固态硬碟(SSD)。东芝公司于1987年发明NAND快闪记忆体,2017年4月,铠侠前身东芝记忆体集团脱离东芝公司。该公司开创了先进的记忆体解决方案和服务,使人们的生活更丰富并扩大社会视野。铠侠创新的3D快闪记忆体技术BiCS FLASH™,正在塑造诸多高密度应用的未来储存方式,其中包括高阶智慧型手机、PC、SSD、汽车和资料中心等。