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美光全新LPDDR5 DRAM的多晶片封装 uMCP5即将量产

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-10-21
美光科技今日宣布推出全新搭载LPDDR5 DRAM的通用快闪记忆体储存(UFS)多晶片封装uMCP5。美光的uMCP5现已准备进行量产,该产品在紧密设计的封装中结合高效能、高容量和低功耗的记忆体和储存空间,使智慧型手机能够以更快的速度和功耗效率处理资料密集型5G工作负载量。
美光将高效能记忆体和储存容量封装于单一简洁的设计中,加速智慧型手机的5G应用 
此多晶片封装采用美光的 LPDDR5 记忆体、高可靠性的 NAND 以及领先的 UFS 3.1 控制器,支援过去只有在使用独立记忆体和储存装置等产品的昂贵旗舰机种中才能看到的进阶手机功能。伴随着搭载于更多的高阶手机,影像识别、进阶人工智慧(AI)、多镜头支援、扩增实境(AR)和高解析度显示等新兴技术,将能供越来越多的消费者使用。
美光行动事业单位资深副总裁暨总经理Raj Talluri博士表示:“要将5G的潜力从口号转化为现实,需仰赖能够在网路和次世代应用程式中传输大量数据的智慧型手机。我们的uMCP5在单一个封装中结合了最快的记忆体和储存,就在消费者指尖,为5G革命性、资料丰富的技术释放新的可能性。”
美光uMCP5为5G生态系统带来速度与效率
美光曾于今年3月时宣布uMCP5产品送样,以此为基础,美光所推出的uMCP5作为首款搭载新一代UFS NAND储存和低功耗DRAM的多晶片封装,将为手机市场树立新标准。如今智慧型手机必须储存和处理大量资料,已达到LPDDR4规格的中阶晶片组的记忆体频宽极限,导致影片解析度降低、延迟严重和功能受限。
藉助LPDDR5,美光将记忆体频宽从3,733Mb/s大幅提升至6,400Mb/s,即使在使用处理大量数据的功能时,也能为手机用户带来无缝的即时体验。
高通(Qualcomm Technologies)产品管理副总裁Ziad Asghar表示:“5G使智慧型手机能以前所未有的数千兆位元速度连接云端。我们很高兴uMCP5现已上市,为新一代手机带来与5G速度相当的记忆体,并实现一流的游戏、差异化的相机和AI体验以及超快的档案传输。”
uMCP5专为次世代5G装置设计,可轻松快速处理和储存大量数据,而不影响效能或功耗。高效能记忆体和储存装置让uMCP5得以全面支援5G下载速度,且能同时执行更多应用程式。
美光uMCP5的功能
.电池寿命大幅延长
以uMCP4的成功为基石,美光的uMCP5搭载LPDDR5记忆体以实现5G网路的完全利用。LPDDR5与LPDDR4相比,功耗效率提升近20%。
此外,美光的UFS 3.1较前一代的UFS 2.1功耗降低约40%。对于智慧型手机用户而言,这意味着电池寿命的延长,即使在使用耗电的多媒体应用程式或资料密集型功能(如AI、AR、影像识别、游戏、沉浸式娱乐等)时也是如此。
.下载速度快
美光的uMCP5释放5G效能的全部潜力,与美光之前UFS 2.1规格的解决方案相比,用户的持续下载速度提高20%。
.耐用性提升
美光的uMCP5 NAND也将耐用性提升约66%,达到5000次写入/抹除周期(P/E cycles),在不降低装置效能的前提下,成倍增加装置可编程和清除的次数和数据量,即使是最重度的使用者,也能延长智慧型手机的使用寿命。
.最大频宽
搭载uMCP5的装置将支援高达6,400Mb/s的最大DRAM频宽,较上一代LPDDR4x的4,266Mb/s频宽提升50%。这使得手机用户可以在不影响体验的情况下对多个应用程式进行多工处理。频宽的提升还能为智慧型手机中AI驱动的运算摄影实现更高品质的影像处理,为用户提供专业摄影功能。美光是业界首家支援全速LPDDR5的厂商。
.最新快闪记忆体效能
美光的uMCP5还采用了最快的UFS 3.1规格储存介面,与美光上一代UFS 2.1产品相比,连续读取效能提高一倍,写入速度提高20%。
.紧密设计、节省空间
美光利用其多晶片封装专长和已知的制造和封装技术,以尽可能紧密的外形尺寸设计uMCP5,达到更纤薄、更灵活的智慧型手机设计。与独立的解决方案(即LPDDR5和UFS的独立版本)相比,使用美光封装的装置可以节省55%的印刷电路板空间。空间的节省使手机制造商能够尽可能扩大电池尺寸或增加功能,如镜头、手势装置或感应器。美光提供多种容量配置,有高达12Gigabyte(GB)的LPDDR5和512GB的NAND。
uMCP5现已准备量产,有四种不同容量配置:128+8GB、128+12GB、256+8GB和256+12GB。