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三星第八代V-NAND为228层:未来可达1000层

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-06-10
自从快闪记忆体进入3D时代,堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高,从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代V-NAND据说为228层,未来还可以做到1000层。
目前全球半导体晶片产能紧张,NAND本身也是,三星准备藉此机会扩大生产规模,现在韩国平泽市的储存晶片工厂已经是全球最大的,三星计划建设第二座平泽工厂。在快闪记忆体技术上,三星的128层V-NAND已经量产,2021年下半年则会量产第7代V-NAND,堆栈层数提升到176层。
在“盖楼”层数上,三星实际上已经落后于Micron,后者在去年底就推出了176层3D快闪记忆体,并且量产了,三星现在要奋起直追了。超越Micron的希望就是再下一代的第8代V-NAND,堆栈层数据说为228层,不过三星没公布具体情况,预计要到明年下半年才有可能量产。
至于未来的层数还能堆多高,早前有消息称超过500层的话就会遇到难以克服的瓶颈,是当前3D堆栈的极限了,但三星的目标是希望超过1000层,这个就需要很多技术突破了。