ASML 第二代 EUV 曝光机开发传瓶颈，神队友救援力拚原时程问世

极紫外光曝光机（EUV）目前是先进半导体制程，不论 DRAM 或晶圆代工生产提升效能的关键。荷兰商艾司摩尔（ASML）是全球唯一量产 EUV 曝光机的厂商，台积电、三星、英特尔先进制程都依赖 EUV 曝光机生产。现阶段每台曝光机单价将近 1.5 亿美元，但 ASML 的 EUV 曝光机目前出货都是光源波长 13.5 奈米左右的第一代产品，物镜 NA 数孔径是 0.33，据 ASML 表示，第二代 EUV 曝光机已进入开发阶段。
首代 EUV 曝光机量产型号为 NXE:3400B，产能为每小时 125PWH。ASML 目前出货主力是 NXE:3400C，产能提升到 135WPH。预计 2021 年底还有 NXE:3600D 系列产品将推出，产能再提升到 160WPH。只不过价格也会提升到 1.45 亿美元左右。
为了提升生产效率，ASML 第二代 EUV 曝光机型号将是 NXE:5000 系列，物镜 NA 值将升到 0.55，提高曝光精准度。然而第二代 EUV 曝光机研发阶段遭遇瓶颈，原本预计最快 2023 年问世，传出可能延后到 2025~2026 年，延后近 3 年，市场人士担心将影响半导体制程研发。
不过虽遭遇研发瓶颈，却有神队友救援。外电报导指出，日本最大半导体镀膜极蚀刻设备公司东京电子（东京威力科创 Tokyo Electron）宣布，镀膜／显影技术将与 ASML 合作，联合发展下一代 EUV 曝光机生产，维持 2023 年问世。除了东京电子，比利时微电子研究中心（IMEC）也是合作伙伴。
东京电子指出，藉旋金属抗蚀剂以显示高解析度和高蚀刻电阻，有望使图案更精细。含金属的抗蚀剂需控制复杂的图案尺寸，以及掌握晶片背面／斜面金属污染程度。为了应付挑战，涂层／开发人员正在联合高 NA 实验室安装先进制程模组，处理含金属抗蚀剂。
0.55 NA 值的第二代 EUV 曝光机比第一代 0.33 NA 值的 EUV 曝光机有更多优势，包括更高对比度、图形曝光更低成本、更高生产效率等。有消息指出，ASML 已出货的 NXE:3400B / 3400C 系列曝光机，乃至 2021 年底问世的 3600D 系列曝光机，都会称为首代 EUV 曝光机，因物镜 NA 都为 0.33。第二代即是 NA 提升至 0.55 的系列产品。因效能提升，第二代 EUV 曝光机造价势必大幅上扬，届时生产晶片价格也将水涨船高，产品售价不会太亲民也是想当然尔的事。