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ASML 第二代 EUV 曝光机开发传瓶颈,神队友救援力拚原时程问世

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-06-10

极紫外光曝光机(EUV)目前是先进半导体制程,不论 DRAM 或晶圆代工生产提升效能的关键。荷兰商艾司摩尔(ASML)是全球唯一量产 EUV 曝光机的厂商,台积电、三星、英特尔先进制程都依赖 EUV 曝光机生产。现阶段每台曝光机单价将近 1.5 亿美元,但 ASML 的 EUV 曝光机目前出货都是光源波长 13.5 奈米左右的第一代产品,物镜 NA 数孔径是 0.33,据 ASML 表示,第二代 EUV 曝光机已进入开发阶段。
首代 EUV 曝光机量产型号为 NXE:3400B,产能为每小时 125PWH。ASML 目前出货主力是 NXE:3400C,产能提升到 135WPH。预计 2021 年底还有 NXE:3600D 系列产品将推出,产能再提升到 160WPH。只不过价格也会提升到 1.45 亿美元左右。
为了提升生产效率,ASML 第二代 EUV 曝光机型号将是 NXE:5000 系列,物镜 NA 值将升到 0.55,提高曝光精准度。然而第二代 EUV 曝光机研发阶段遭遇瓶颈,原本预计最快 2023 年问世,传出可能延后到 2025~2026 年,延后近 3 年,市场人士担心将影响半导体制程研发。
不过虽遭遇研发瓶颈,却有神队友救援。外电报导指出,日本最大半导体镀膜极蚀刻设备公司东京电子(东京威力科创 Tokyo Electron)宣布,镀膜/显影技术将与 ASML 合作,联合发展下一代 EUV 曝光机生产,维持 2023 年问世。除了东京电子,比利时微电子研究中心(IMEC)也是合作伙伴。
东京电子指出,藉旋金属抗蚀剂以显示高解析度和高蚀刻电阻,有望使图案更精细。含金属的抗蚀剂需控制复杂的图案尺寸,以及掌握晶片背面/斜面金属污染程度。为了应付挑战,涂层/开发人员正在联合高 NA 实验室安装先进制程模组,处理含金属抗蚀剂。
0.55 NA 值的第二代 EUV 曝光机比第一代 0.33 NA 值的 EUV 曝光机有更多优势,包括更高对比度、图形曝光更低成本、更高生产效率等。有消息指出,ASML 已出货的 NXE:3400B / 3400C 系列曝光机,乃至 2021 年底问世的 3600D 系列曝光机,都会称为首代 EUV 曝光机,因物镜 NA 都为 0.33。第二代即是 NA 提升至 0.55 的系列产品。因效能提升,第二代 EUV 曝光机造价势必大幅上扬,届时生产晶片价格也将水涨船高,产品售价不会太亲民也是想当然尔的事。