中科院：光刻技术得到重大发展

6月10日，中国科学院官网刊文称，上海光机所在计算光刻技术研究方面取得重要进展。
中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室，提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC）。仿真结果显示，这技术具有较高的修正效率。
随着集成电路图形的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应，降低了光刻成像质量。
在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，此类技术即计算光刻技术（Computational Lithography），被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。
快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC）通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应，从而提高成像质量。基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。