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特殊型 DRAM 下半年价格侵蚀超出预期

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-07-01
特殊型 DRAM 下半年价格侵蚀超出预期!机构减码南亚科、力积电
库存上升、需求减缓迫使供应商改变谈判价格,特殊型 DRAM 价格应进一步修正,中国台湾南亚科也对下半年特殊型 DRAM 市场持保守态度,估价格季减 5%。美系机构出具最新报告指出,特殊型 DRAM(Specialty DRAM)价格环境面临挑战,价格侵蚀幅度出乎华尔街预期,将南亚科、力积电评等“劣于大盘”,并调降 EPS 和目标价。美系机构预估,消费型 DRAM 定价环境趋向疲软,对南亚科、力积电产生负面影响,将南亚科目标价从 65 元降至 48 元,力积电从 40 元下修到 35 元,同时下调目标价,反映定价压力对盈利能力造成压力。
此外,这两间公司明年将大规模扩张,高额的资本支出应导致成本和折旧增加。
至于消费型 DRAM,美系机构认为,DDR3 对 DDR4 价格溢价无法一直持续,目前规格相同的消费型 DDR3 交易价较消费型 DDR4 高出 13%,使 DDR3 客户开始转向 DDR4。有鉴于上一次 DDR3 对DDR4大幅溢价 32% 是出现在去年 3 月,意味着 DDR3 现货价格的巅峰已出现,也将开始翻转。
SK海力士和三星停止生产 1Gb 和 2Gb 产品,降低 DDR3 生产的风险,但美系机构解读,这不代表放弃了消费型 DRAM 市场,而是转移至 DDR4、4Gb 产品。长远来看,中国大陆半导体本土化将成为长期趋势,部分影响南亚科、力积电等较弱的记忆体商。