南亚科1B制程年底进入验证 DDR5明年小试产

中国台湾DRAM厂商南亚科在制程、产品开发不断推进，在制程上，1B也在准备量产中，盼年底可有客户验证和导入，在产品上，目前已在开发DDR5，同样有机会在年底做客户验证，产品逐渐往高阶市场推进。
南亚科在制程推进进度上，目前1A制程己在量产中，1B也在准备量产中，盼年底可有客户验证和导入，1C也有一些进展，若以1A相对于目前的20奈米来看，约会多30%的位元产出，1B相对于1A制程又会多30%的位元产出。
南亚科表示，藉由制程的推进，除了生产成本往下降，还可以有新制程来生产更高阶产品，包括更高密度产品或者是更高速、低功率，能量运用较少的产品，也为客户省电。
在产品面，南亚科自主开发DDR4、LPDDR4，目前开发DDR5，有机会年底做客户验证，DDR5采用1A或1B制程，明年做16Gb产品小量试产，目前正在设计中。