三星推出扩充的CXL 记忆体模组产品组合

在Memcon 2024 上，先进半导体技术的全球领导者三星电子推出了其Compute Express Link (CXL) 记忆体模组产品组合的扩展，并展示了其最新的HBM3E 技术，巩固了在面向人工智慧应用的高性能、大容量解决方案。

当圣克拉拉电脑历史博物馆向拥挤的人群发表主题演讲时，三星电子美国设备解决方案研究中心- 内存公司执行副总裁Jin-Hyeok Choi 以及公司执行副总裁、DRAM 产品和主管SangJoon Hwang三星电子的技术人员上台介绍了新的记忆体解决方案，并讨论了三星如何在人工智慧时代引领HBM 和CXL 创新。
VMware by Broadcom VCF 部门产品团队副总裁Paul Turner 和Red Hat 副总裁兼总经理Gunnar Hellekson 与三星一起上台，讨论他们的软体解决方案如何与三星的硬体技术相结合，推动记忆体创新的界限。
Choi 表示：“如果没有储存技术创新，人工智慧创新就无法持续。”“身为记忆体市场的领导者，三星很自豪能够继续推进创新—从业界最先进的CMM-B 技术，到用于高效能计算和要求苛刻的人工智能应用的HBM3E 等强大的内存解决方案。我们致力于与合作伙伴合作，服务客户，共同释放人工智能时代的全部潜力。”
三星推出了CXL 记忆体模组– Box (CMM-B)，这是一款尖端的CXL DRAM 记忆体池产品，突显了CXL 生态系统的成长动能。三星CMM-B 可容纳八个E3.S 外型尺寸的CMM-D 设备，并提供高达2 TB 的容量。巨大的记忆体容量由高达60 GB/s 的频宽和596 奈秒(ns) 的延迟的高效能支持，可以服务于需要大容量记忆体的各种应用，例如AI、记忆体资料库(IMDB) ）、资料分析等。
三星还与即插即用机架级IT 解决方案的全球领导者Supermicro 合作，展示了业界首款用于高度可扩展和可组合的分解基础设施的机架级记忆体解决方案。这种先进的解决方案利用三星的CMM-B 来增加记忆体容量和频宽，使资料中心能够处理要求苛刻的工作负载，这与缺乏现代应用程式所需的灵活性和效率的标准架构不同。增加的记忆体容量和每台伺服器高达60GB/s 频宽的高效能可以增强需要大容量记忆体的各种应用程序，例如AI、IMDB、资料分析等。
在舞台上，三星和VMware by Broadcom 也推出了Peaberry 项目，这是世界上第一个基于FPGA（现场可编程门阵列）的虚拟机管理程式分层记忆体解决方案，称为CXL 分层记忆体混合内存模组(CMM-H TM)。这种混合解决方案将DRAM 和NAND 媒体结合在附加卡(AIC) 外形中，以应对记忆体管理挑战、减少停机时间、优化分层记忆体的调度并最大限度地提高效能，同时显著降低总拥有成本(TCO)。
Paul Turner 表示：“VMware by Broadcom 很高兴与三星合作，带来记忆体领域的新创新。”“三星在记忆体技术方面的领先地位和VMware 在软体记忆体分层方面的领先地位促成了CXL 的新创新，并提供了令人信服的价值主张，具有显著的TCO 优势、更好地利用昂贵的DRAM 资源以及改进的伺服器资源整合，同时提供同样出色的性能”。
此外，三星还展示了其CXL记忆体模组-DRAM（CMM-D）技术，该技术利用三星的DRAM技术与CXL开放标准介面集成，促进CPU和记忆体扩展设备之间的高效、低延迟连接。红帽是开源软体解决方案的全球领导者，去年在业界首次使用其企业软体成功验证了三星的CMM-D 设备。两家公司将继续透过三星记忆体研究中心(SMRC) 合作开发CXL 开源和参考模型，并在一系列其他储存和记忆体产品上进行合作。
三星也为2024 年Memcon 与会者提供了展示其最新HBM3E 12H 晶片的机会，这是全球首款12 堆叠HBM3E DRAM，标志着HBM 技术有史以来实现的最高容量的突破。 HBM3E 12H采用该公司先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，与前代产品相比，晶片的垂直密度提高了20%以上，同时也提高了产品良率。三星目前正在向客户提供HBM3E 12H样品，并计划在今年上半年开始量产。