三星疯狂扩产HBM，下注CXL

全球最大的记忆体晶片制造商三星电子公司的目标是在人工智慧晶片领域引发话题，今年的高频宽记忆体（HBM）晶片产量可能会比去年增加一倍。周二在加州圣荷西举行的全球晶片制造商聚会Memcon 2024 上，三星公司担任副总裁兼DRAM 产品和技术主管Hwang Sang-joong 表示，他预计该公司将增加HBM 晶片产量，今年产量是去年的2.9 倍。
这是三星今年年初在CES 2024 上公布的预测，即该晶片制造商到2024 年HBM 晶片的产量可能会增加2.5 倍。
“继已经量产的第三代HBM2E 和第四代HBM3 之后，我们计划Hwang 在Memcon 2024 上表示：
“我们将在大量大规模生产12 层第五代HBM 和32 GB 128 GB DDR5 产品。”-人工智慧时代的高效能、大容量记忆体。 ”
会上，三星公布了HMB路线图，预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍。到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水准的23.1倍。
在代号为“Snowbolt”的第六代HBM 晶片HBM4 中，三星计划将缓冲晶片（一种控制器零件）应用到堆叠记忆体的底层以提高效率。
根据三星先前提交的文件，Snowbolt一词与高效能运算设备、人工智慧和超级运算设备的高频宽DRAM（动态随机存取记忆体）模组有关。根据其描述，这些新的DRAM模组可用于云端伺服器、高效能运算和人工智慧运算。
由于人工智慧是当今的趋势，它需要极其强大的伺服器和云端计算机，三星的Snowbolt记忆体模组可以使人工智慧运算任务更快、更可靠。改进后的人工智慧效能可用于各种应用，包括智慧型手机、电视和各种其他装置上的语音助理。
会上，三星向与会者展示了最新的HBM3E 12H晶片——业界首款12堆叠HBM3E DRAM，标志着HBM技术有史以来最高容量的突破。
三星目前正在向客户提供HBM3E 12H晶片样品，并计划在上半年开始量产。
作为HBM 晶片领域的落后者，三星在HBM 领域投入巨资，以与SK Hynix 和其他记忆体厂商竞争。 HBM 已成为人工智慧繁荣的关键，因为它提供比传统记忆体晶片更快的处理速度。
上周，三星半导体业务负责人Kyung Kye-hyun 表示，该公司正在开发下一代AI 晶片Mach-1，旨在颠覆其同城竞争对手SK Hynix，后者是先进HBM 领域的主导厂商。
该公司表示，已同意在今年底前向Naver Corp.供应Mach-1 晶片，这笔交易价值高达1 兆韩元（7.52 亿美元）。透过这份合同，Naver 希望大幅减少其AI 晶片对全球顶级AI 晶片设计商Nvidia 的依赖。