三星计划今年HBM产量增加两倍 引领 AI 晶片时代

全球最大的记忆体晶片制造商三星电子公司，正计划在人工智慧晶片领域取得领先地位，预计将今年高频宽记忆体晶片 (HBM) 的产量，较去年提高两倍。
周二 (26 日) 在加州圣荷西举行的全球晶片制造商聚会 Memcon 2024 上，三星公司执行副总裁兼 DRAM 产品和技术主管 Hwang Sang-joong 表示，他预计该公司将增加 HBM 晶片产量今年产量是去年的 2.9 倍。
这项预测高于三星今年稍早在 CES 2024 上公布的预测，即该晶片制造商到 2024 年 HBM 晶片的产量可能会增加 2.5 倍。
Hwang 在 Memcon 2024 上说：“继第三代 HBM2E 和第四代 HBM3 已经量产后，我们计划在今年上半年，大批量生产 12 层第五代 HBM 和 32GB 128GB DDR5 产品。”
“透过这些产品，我们期望增强我们在人工智慧时代高性能、大容量记忆体领域的地位。”
会上，三星公布了 HMB 路线图，预计 2026 年 HBM 出货量将是 2023 年产量的 13.8 倍。 到 2028 年，HBM 年产量将进一步增至 2023 年水准的 23.1 倍。
在会上，三星向与会者展示了最新的 HBM3E 12H 晶片—业界首款 12 堆叠 HBM3E DRAM，标志着 HBM 技术有史以来最高容量的突破。
三星目前正在向客户提供 HBM3E 12H 晶片样品，并计划在上半年开始量产。
会议参与者包括 SK 海力士公司、微软、Meta Platforms、Nvidia 和 AMD。
在 Memcon 2024 上，三星还推出了其 Compute Express Link (CXL) 记忆体模组产品组合的扩展，并展示了其最新的 HBM3E 技术，巩固了在面向人工智慧应用的高性能、 大容量解决方案。
三星电子美国设备解决方案研究中心 - 内存公司执行副总裁 Jin-Hyeok Choi 以及公司执行副总裁、DRAM 产品和主管 SangJoon Hwang 三星电子的技术人员 上台介绍了新的记忆体解决方案，并讨论了三星如何在人工智慧时代引领 HBM 和 CXL 创新。
三星指出，这次推出的 CXL 记忆体模组 – Box (CMM-B)，是一款尖端的 CXL DRAM 记忆体池产品，突显了 CXL 生态系统的成长动能。 三星 CMM-B 可容纳八个 E3.S 外形尺寸的 CMM-D 设备，并提供高达 2 TB 的容量。 巨大的记忆体容量由高达 60 GB/s 的频宽和 596 奈秒 (ns) 的延迟的高效能支持，可以服务于需要大容量记忆体的各种应用，例如 AI、记忆体资料库 (IMDB) ）、资料分析等。