传三星本月将量产 290 层 V-NAND、明年准备推 430 层

韩媒《HankYung》报导，三星电子本月将开始量产第九代 V-NAND（即 3D NAND），将拥有 290 个主动层（active layer）。据报导，三星还计划明年下半年推出 430 层 NAND 晶片，即第 10 代 V-NAND。
从目前市场消息来看，三星可能决定减少 V-NAND 记忆体的主动层数，来提高产量。三星第 9 代 V-NAND 拥有 290 个主动层，特点是采用双次堆叠（double-stack）技术，首先建构具逻辑的 CMOS 层，在其顶部建立 145 层 3D NAND 记忆体阵列，然后其上方再建另个 145 层 3D NAND 快闪记忆体。
虽然制程技术复杂，但有望提高数百层 3D NAND 记忆体产品产量，因为制造两个 145 层 3D NAND 比制造一个 290 层 3D NAND 阵列更容易。
过去有报导称，三星今年将推出 300 层以上 3D NAND 记忆体，因此跟这项消息互相矛盾，建议更谨慎看待这则消息。与此同时，SK 海力士准备明年初生产 321 层 NAND，而中国长江存储计划今年下半年生产 300 层的产品。