台积电拿下 SK 海力士 HBM4 先进制程与封装大单

韩国记忆体大厂 SK 海力士 19 日宣布，公司就下一代 HBM 产品生产和加强融合 HBM 与逻辑层的先进封装技术，将与中国台湾台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在 2026 年投产的 HBM4，即第六代 HBM 产品。
SK 海力士表示，公司做为 AI 应用的记忆体领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领 HBM 技术创新。透过以构建 IC 设计厂、晶圆代工厂、记忆体厂三方技术合作的方式，公司将实现记忆体产品性能的新突破。
两家公司将首先致力于针对搭载于 HBM 封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM 是将多个 DRAM 裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并透过 TSV 技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至 GPU，发挥对 HBM 进行控制的作用。
SK 海力士表示，以往的 HBM 产品，包括 HBM3E（第五代 HBM 产品）都是采用公司自家制程技术来制造的基础裸片。但从 HBM4 产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）制程技术，藉由基础裸片采用超细微制成来增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的客制化（Customized）HBM 产品。
另外，SK 海力士与中国台湾台积电的合作，双方将协力优化 SK 海力士的 HBM 产品和台积电的 CoWoS 技术融合，共同应对 HBM 相关客户的要求。