2大巨头竞争火热、英特尔加入混战行列 韩媒 : AI半导体大战开打

AI关键的高频宽记忆体（HBM）产业持续火热，南韩两大巨头三星电子和SK海力士正在激烈竞争引领人工智能（AI）的主导地位，以及英特尔（Intel）推出AI芯片“Gaudi 3”突袭英伟达（NVIDIA），还有晶圆代工产能过剩的问题垄罩，全球半导体各战线正在扩大。
到目前为止，英伟达一直主导人工智能芯片市场，在资料中心GPU市场的占有率约为98%。然而，英特尔现在也加入了竞争行列，于本周二推出了Gaudi 3人工智能加速器，从英伟达手中夺取市占率。
韩媒Business Korea报导，对AI半导体相当重要的HBM市场，三星电子和SK海力士积极布局，近日竞相宣布了下一代半导体量产计划，市场也聚焦，到底谁能先将这些新产品推向市场。
韩媒指出，这2家公司竞相开发第六代HBM4。其中，SK海力士也计划在2026年实现HBM4量产，并与台积电合作，计划采用台积电的先进逻辑制程技术生产HBM4。
三星电子是市场上唯一1家拥有完整生产、代工和封装制程技术的半导体公司，强调其为客户提供客制化HBM解决方案的能力。为了对抗SK海力士-台积电的合作，三星电子也制定将于明年开发HBM4，并于2026年开始量产的路线图。
与此同时，DRAM领域的竞争也持续加速。三星电子最近发布了用于设备上人工智能的低功耗双倍数据速率5X （LPDDR5X） DRAM，其速度达到创纪录的10.7Gbps（千兆位元每秒），超过了SK海力士用于行动设备的LPDDR5T，后者去年达到了9.6 Gbps。
此外，三星电子计划于今年底开始量产第六代10 纳米（nm） DRAM，并于2026年开始量产第七代10纳米DRAM。
目前半导体产业除了记忆体市场火热，芯片市场则现逆风、出现代工产能过剩的状况。对此，三星电子已将德州泰勒新晶圆厂量产时间，由2024年底延至到2026年。
对于加强芯片设计能力，传出三星扩大美国的研发机构，在矽谷建立了先进处理器实验室（APL），专门从事AI芯片设计。据报导，APL主要开发下一代半导体设计资产、关注RISC-V领域。
韩媒指出，RISC-V是半导体芯片设计的基础设计资产，该领域主要由英国半导体设计资产公司ARM垄断，而三星布局RISC-V的举措，被解读为迈向技术独立的一步。