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为追上三星,SK 海力士年底量产 1c DRAM 存储器

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-05-04
韩国存储器大厂 SK 海力士加速第六代 10 纳米级 (1c) DRAM 存储器量产,预定年底达成,缩小与 DRAM 市场领导者三星电子的差距。
韩国媒体 ETnews 报导,市场人士表示,SK 海力士第四季开发代号“Spica”第六代 (1c) DRAM 导入量产。另一市场人士强调,SK 海力士导入第六代 DRAM 量产时间是 11 月。SK 海力士之所以急于量产,是为了追上 DRAM 市占第一的三星。三星也计划年底量产第六代 DRAM,SK 海力士若能年底量产,两者时间就不分先后。
市场预估,三星与 SK 海力士新世代 DRAM 量产时程有六个月差距,都达 90% 良率,但有一年差距,故 SK 海力士努力追赶落差。即便 SK 海力士高频宽存储器 (HBM) 市场有领先优势,但 HBM 未来需高性能 DRAM 支援,若减少与三星 DRAM 差距,对 SK 海力士 HBM 维持第一地位至关重要。
第六代 DRAM 量产进度清楚后,EUV 投资需求也紧接而来。第六代 DRAM 生产共六层曝光阶段需用到 EUV,是前一代 (1b) DRAM 两倍,更是第四代 (1a) DRAM 的六倍。截至 2023 年底,SK 海力士有五套 EUV,今年增加约八套。考虑到 2025 年第六代 DRAM 量产需求,加上现有 EUV 量,将增至约 20 套。
而对于媒体的相关报导,SK海力士回应表示,1c DRAM 产品正在顺利开发,但由于开发尚未完成,公司对具体计划无法评论。