闪迪投资者日：1.2ZB数据中心闪存市场与HBF架构

8月13日美东，闪迪在2026投资者日给出2028—2030财年框架：营收中高双位数增长，非GAAP毛利率约80%、营业利润率约75%，自由现金流利润率约50%；完成投资后剩余现金100%回馈股东。需求侧依据是AI推理扩容——闪迪预计2030年企业数据中心闪存TAM达1.2泽字节（ZB），Staging/KV Cache/Fast Data Lakes成三大负载。
商业模式上，闪迪已签8份长期客户协议（NBM）、总价值约940亿美元，覆盖2027财年约半数、2028财年约三分之二bit产出，合同加权年限约4年，以固定及区间价提升供需可见度。技术端推进CBA（CMOS直接键合阵列）二维扩展，BiCS10 QLC较BiCS8比特密度升约60%；并定义High Bandwidth Flash（HBF）——以堆叠闪存+先进bonding补HBM与NAND空隙，带宽为传统NAND更高、容量近HBM八倍，定位“补充而非替代HBM”，正与SK海力士推标准化，首颗芯片已流片，面向AI推理样品交付在即。