瑞银：HBM制造复杂度抬高通用DRAM稀缺性,议价优势或从2029年减弱,高毛利窗口约剩2—3年

HBM制造复杂度抬高通用DRAM稀缺性，瑞银预估美光通用DRAM毛利率2027年攀至95%
高带宽内存（HBM）作为AI加速器的核心存储组件，制造链路远长于传统DRAM。HBM需将多颗DRAM裸片垂直堆叠，并叠加复杂的中介层与封装工序，产线占用高、良率爬坡慢。前英特尔首席执行官帕特·基辛格在巴黎一场AI峰会上以糟糕的（lousy）形容HBM，虽属个人观点，但侧面反映出产业界对HBM制造效率与成本结构的持续审视。
瑞银（UBS）2026年8月最新研究给出另一视角：随着三大DRAM厂商将先进晶圆产能向HBM倾斜，通用DRAM供给被动收缩，反而推高其价格与毛利。瑞银估算，美光通用DRAM毛利率由2025年约44%—50%，升至2026年初80%、2026年底92%，2027年达93%—95%，2028年多数时段维持93%以上；同期美光HBM毛利率由2025年56%—63%升至2027年75%—78%，两者缺口2027年扩至17—20个百分点。
AI服务器不仅消耗HBM，也大量采购DDR5等通用DRAM支撑CPU与系统层运行，双重需求挤占同一池DRAM晶圆。瑞银预计美光HBM季度出货由2025年初0.1EB增至2027年底0.43EB，但单位获利仍不及通用DRAM。存储器厂面临产能分配平衡：过度转向HBM会进一步压缩通用DRAM供给、反推其毛利，需在AI高端布局与传统高毛利业务间拿捏节奏。瑞银同时提示，存储器厂手握约380亿美元预付款，议价优势或从2029年减弱，高毛利窗口约剩2—3年。