四季度DRAM和NAND Flash合约价预计环比分别上涨10%至15%和15%至20%
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-10-01
第四季度存储器合约价延续上行 AI服务器需求驱动供需结构性分化
受全球人工智能基础设施投资持续升温影响，存储器产能加速向高性能服务器领域倾斜。据研究机构9月30日发布的最新产业报告，2026年第四季度一般型DRAM合约价预计环比上涨10%至15%，NAND Flash合约价预计环比上涨15%至20%，其中企业级SSD成为涨幅扩大的品类。市场整体维持供需偏紧格局，但涨势较前期有所放缓，消费端与AI端呈现明显分化态势。
一、整体格局：供需偏紧延续，涨势趋于温和
研究机构于2026年9月30日发布的存储器产业研究显示，第四季度DRAM原厂持续将先进制程产能投入服务器应用的高性能产品，整体市场维持供需偏紧格局，但合约价涨势较前几个季度有所放缓。一般型DRAM合约价预计环比上涨10%至15%；NAND Flash市场呈现人工智能需求拉动与消费需求偏弱并存的“双轨”发展态势，整体合约价格预计环比上涨15%至20%。
从全年走势来看，本轮存储器价格上涨周期自2025年下半年启动，至今已持续逾一年。高盛在2026年5月的研报中上调全年DRAM价格涨幅预期至250%至280%，NAND价格涨幅上调至200%至250%。瑞银亦在7月的报告中上调存储价格预期，认为涨价周期有望延续至2027年。多家机构的分析指向一个共同判断：在人工智能服务器需求保持旺盛的背景下，供需偏紧格局短期内较难显著缓解。
二、产能再分配：高性能存储产品成资源倾斜方向
全球主要存储器原厂正将资源高度向人工智能应用与先进制程集中。三星预估，明年高带宽存储器（HBM）占全球DRAM晶圆产能比重有望从目前约20%提升至接近30%，这一产能再分配将对传统DRAM供应形成较为明显的挤出效应。美光最新财报数据显示，其数据中心营收较去年同期大幅增长，并预期供需偏紧状况将延续。该公司同时将2026财年资本支出上调至约270亿美元，凸显国际原厂在人工智能相关存储器产能上的持续投入决心。
在产能扩张方面，存储器晶圆厂建设涉及土地、水电与设备等多重因素，扩厂周期较长，新增产能难以在短期内同步释放。业内普遍认为，2026年全球几乎没有新增规模化量产产能落地，供需偏紧态势或将延续至2027年下半年。
三、DRAM细分：各应用领域走势分化
服务器DRAM：供需偏紧态势延续
随着服务器CPU供给逐步改善，云服务提供商（CSP）及服务器OEM厂商追加向原厂采购量，以应对代理式人工智能（Agentic AI）应用场景扩大后，通用型服务器对RDIMM（暂存式存储器模组）的需求增长。供给方面，存储器原厂虽已配合客户需求提高低容量RDIMM供应比重，但受制于零组件供给、封装测试产能及DRAM前段制程调度弹性等因素，供应组合仍难以完全匹配需求。第四季度服务器DRAM供不应求态势预计延续，但部分卖方出货价格受长期协议（LTA）价格区间机制限制，涨幅或略低于市场平均水平。
PC与移动DRAM：采购积极，远期供给存变数
PC OEM厂商考虑到2027年DRAM供给可能持续偏紧，采购态度维持积极，对PC DRAM价格形成支撑。从供给面来看，2026年原厂按照与PC OEM、模组厂商约定的供应量逐季交付，后续因产能陆续转向服务器应用，2027年PC DRAM供给存在进一步缩减的可能。移动DRAM方面，随着成本上扬与低价库存逐步消耗，智能手机生产量持续收缩。原厂受强劲人工智能需求吸引，持续将产能向服务器等领域转移，导致移动端配额依然偏紧。整体而言，移动DRAM价格上行格局基本确立，但由于前期已较大程度反映涨幅，第四季度涨势预计较上季度有所收敛。
图形与消费型DRAM：AI芯片需求成主要支撑
部分PC品牌为降低整体物料清单（BOM）成本，GDDR6重新获得评估采用。GDDR7需求主要由人工智能芯片持续带动，整体采购动能优于PC市场。各供应商持续缩减GDDR6生产并逐步退出，GDDR7则受限于先进制程产能向服务器DRAM等应用倾斜，实际产出有限，图形DRAM整体价格预计维持上行态势。消费型DRAM方面，增量需求主要来自SSD客户，尤其是QLC SSD需求展望上修带动对应芯片需求增加，但大厂减产节奏不变，整体价格持续上行但涨幅趋缓。
四、NAND Flash市场：企业级SSD需求突出
云服务提供商持续加码人工智能推理基础设施建设，研究机构预估2026年企业级SSD位元需求年增幅有望突破80%。采购驱动因素已从大型语言模型（LLM）训练转向实质的人工智能部署，代理式人工智能的大规模上线使即时检索与缓存的数据量成倍放大，QLC在向量数据库中的渗透率同步提升。强劲需求带动各原厂扩增QLC产能与高容量机型供应，PCIe 6.0接口亦随新一代人工智能服务器平台逐步放量，但新增供给多已被客户预先锁定。研究机构预估，第四季度企业级SSD价格涨幅将进一步扩大，成为主要存储器产品中唯一涨势加速的品类。
相比之下，客户端SSD方面，PC OEM厂商可通过上半年建立的整机库存与渠道备货出货，仅需补充零星缺料品项。为压低物料成本，品牌厂商调降主流机型PC SSD容量，采购量能与搭载容量同步收缩，涨幅受到一定抑制。eMMC/UFS及NAND Flash晶圆领域，下游消化能力有限，主力客户采购趋于保守，预期整体价格仅小幅上行。
五、产能挤出效应下的产业机遇与技术布局
国际大厂资源向人工智能领域集中，为专注传统DRAM与利基型存储器的中国台湾供应链带来了实质性的接单机遇。南亚科表示目前产能已达满载状态，长约涵盖比例约达五成，新厂第一阶段规划将于2028年达到月投片3万片规模。华邦电亦指出市场供需持续偏紧，已正式启动高雄厂扩建计划，预计于2029年底进入量产阶段。中国台湾存储器厂商现阶段主要通过推进短约转为长约的商业模式，致力于维持稳定且长期的运营动能，在产业链协同合作中稳固中长期市场地位。
在技术前沿，应用材料近期宣布闪存与SSD供应商铠侠将加入其设备与制程创新中心，合作开发新一代存储器技术。铠侠与闪迪于2026年8月联合推出新一代QLC 3D闪存技术，采用332层垂直堆叠结构，单位面积存储密度较上一代提升约六成，标志着QLC闪存技术进入主流应用赛道。与此同时，新兴存储器企业在技术创新与产业链协同方面持续取得进展，为全球供应链稳定贡献积极力量。
六、市场展望与风险提示
综合多家研究机构观点，当前全球存储器市场供需偏紧格局短期内较难发生根本性转变。人工智能服务器投资持续高景气、高带宽存储器产能扩张对传统产品的挤出效应，共同构成了支撑价格高位运行的基本面。但也需关注潜在变量：若人工智能基础设施投资节奏放缓，服务器端需求可能出现阶段性调整；消费端终端产品涨价若超出市场承受范围，可能导致下游需求进一步萎缩；各大存储器厂商新增资本开支带来的产能释放，预计2027年下半年至2028年逐步落地，届时供需关系或将出现边际变化。投资者与产业链参与者宜保持审慎关注，密切跟踪各环节供需数据的动态变化。
受全球人工智能基础设施投资持续升温影响，存储器产能加速向高性能服务器领域倾斜。据研究机构9月30日发布的最新产业报告，2026年第四季度一般型DRAM合约价预计环比上涨10%至15%，NAND Flash合约价预计环比上涨15%至20%，其中企业级SSD成为涨幅扩大的品类。市场整体维持供需偏紧格局，但涨势较前期有所放缓，消费端与AI端呈现明显分化态势。
一、整体格局：供需偏紧延续，涨势趋于温和
研究机构于2026年9月30日发布的存储器产业研究显示，第四季度DRAM原厂持续将先进制程产能投入服务器应用的高性能产品，整体市场维持供需偏紧格局，但合约价涨势较前几个季度有所放缓。一般型DRAM合约价预计环比上涨10%至15%；NAND Flash市场呈现人工智能需求拉动与消费需求偏弱并存的“双轨”发展态势，整体合约价格预计环比上涨15%至20%。
从全年走势来看，本轮存储器价格上涨周期自2025年下半年启动，至今已持续逾一年。高盛在2026年5月的研报中上调全年DRAM价格涨幅预期至250%至280%，NAND价格涨幅上调至200%至250%。瑞银亦在7月的报告中上调存储价格预期，认为涨价周期有望延续至2027年。多家机构的分析指向一个共同判断：在人工智能服务器需求保持旺盛的背景下，供需偏紧格局短期内较难显著缓解。
二、产能再分配：高性能存储产品成资源倾斜方向
全球主要存储器原厂正将资源高度向人工智能应用与先进制程集中。三星预估，明年高带宽存储器（HBM）占全球DRAM晶圆产能比重有望从目前约20%提升至接近30%，这一产能再分配将对传统DRAM供应形成较为明显的挤出效应。美光最新财报数据显示，其数据中心营收较去年同期大幅增长，并预期供需偏紧状况将延续。该公司同时将2026财年资本支出上调至约270亿美元，凸显国际原厂在人工智能相关存储器产能上的持续投入决心。
在产能扩张方面，存储器晶圆厂建设涉及土地、水电与设备等多重因素，扩厂周期较长，新增产能难以在短期内同步释放。业内普遍认为，2026年全球几乎没有新增规模化量产产能落地，供需偏紧态势或将延续至2027年下半年。
三、DRAM细分：各应用领域走势分化
服务器DRAM：供需偏紧态势延续
随着服务器CPU供给逐步改善，云服务提供商（CSP）及服务器OEM厂商追加向原厂采购量，以应对代理式人工智能（Agentic AI）应用场景扩大后，通用型服务器对RDIMM（暂存式存储器模组）的需求增长。供给方面，存储器原厂虽已配合客户需求提高低容量RDIMM供应比重，但受制于零组件供给、封装测试产能及DRAM前段制程调度弹性等因素，供应组合仍难以完全匹配需求。第四季度服务器DRAM供不应求态势预计延续，但部分卖方出货价格受长期协议（LTA）价格区间机制限制，涨幅或略低于市场平均水平。
PC与移动DRAM：采购积极，远期供给存变数
PC OEM厂商考虑到2027年DRAM供给可能持续偏紧，采购态度维持积极，对PC DRAM价格形成支撑。从供给面来看，2026年原厂按照与PC OEM、模组厂商约定的供应量逐季交付，后续因产能陆续转向服务器应用，2027年PC DRAM供给存在进一步缩减的可能。移动DRAM方面，随着成本上扬与低价库存逐步消耗，智能手机生产量持续收缩。原厂受强劲人工智能需求吸引，持续将产能向服务器等领域转移，导致移动端配额依然偏紧。整体而言，移动DRAM价格上行格局基本确立，但由于前期已较大程度反映涨幅，第四季度涨势预计较上季度有所收敛。
图形与消费型DRAM：AI芯片需求成主要支撑
部分PC品牌为降低整体物料清单（BOM）成本，GDDR6重新获得评估采用。GDDR7需求主要由人工智能芯片持续带动，整体采购动能优于PC市场。各供应商持续缩减GDDR6生产并逐步退出，GDDR7则受限于先进制程产能向服务器DRAM等应用倾斜，实际产出有限，图形DRAM整体价格预计维持上行态势。消费型DRAM方面，增量需求主要来自SSD客户，尤其是QLC SSD需求展望上修带动对应芯片需求增加，但大厂减产节奏不变，整体价格持续上行但涨幅趋缓。
四、NAND Flash市场：企业级SSD需求突出
云服务提供商持续加码人工智能推理基础设施建设，研究机构预估2026年企业级SSD位元需求年增幅有望突破80%。采购驱动因素已从大型语言模型（LLM）训练转向实质的人工智能部署，代理式人工智能的大规模上线使即时检索与缓存的数据量成倍放大，QLC在向量数据库中的渗透率同步提升。强劲需求带动各原厂扩增QLC产能与高容量机型供应，PCIe 6.0接口亦随新一代人工智能服务器平台逐步放量，但新增供给多已被客户预先锁定。研究机构预估，第四季度企业级SSD价格涨幅将进一步扩大，成为主要存储器产品中唯一涨势加速的品类。
相比之下，客户端SSD方面，PC OEM厂商可通过上半年建立的整机库存与渠道备货出货，仅需补充零星缺料品项。为压低物料成本，品牌厂商调降主流机型PC SSD容量，采购量能与搭载容量同步收缩，涨幅受到一定抑制。eMMC/UFS及NAND Flash晶圆领域，下游消化能力有限，主力客户采购趋于保守，预期整体价格仅小幅上行。
五、产能挤出效应下的产业机遇与技术布局
国际大厂资源向人工智能领域集中，为专注传统DRAM与利基型存储器的中国台湾供应链带来了实质性的接单机遇。南亚科表示目前产能已达满载状态，长约涵盖比例约达五成，新厂第一阶段规划将于2028年达到月投片3万片规模。华邦电亦指出市场供需持续偏紧，已正式启动高雄厂扩建计划，预计于2029年底进入量产阶段。中国台湾存储器厂商现阶段主要通过推进短约转为长约的商业模式，致力于维持稳定且长期的运营动能，在产业链协同合作中稳固中长期市场地位。
在技术前沿，应用材料近期宣布闪存与SSD供应商铠侠将加入其设备与制程创新中心，合作开发新一代存储器技术。铠侠与闪迪于2026年8月联合推出新一代QLC 3D闪存技术，采用332层垂直堆叠结构，单位面积存储密度较上一代提升约六成，标志着QLC闪存技术进入主流应用赛道。与此同时，新兴存储器企业在技术创新与产业链协同方面持续取得进展，为全球供应链稳定贡献积极力量。
六、市场展望与风险提示
综合多家研究机构观点，当前全球存储器市场供需偏紧格局短期内较难发生根本性转变。人工智能服务器投资持续高景气、高带宽存储器产能扩张对传统产品的挤出效应，共同构成了支撑价格高位运行的基本面。但也需关注潜在变量：若人工智能基础设施投资节奏放缓，服务器端需求可能出现阶段性调整；消费端终端产品涨价若超出市场承受范围，可能导致下游需求进一步萎缩；各大存储器厂商新增资本开支带来的产能释放，预计2027年下半年至2028年逐步落地，届时供需关系或将出现边际变化。投资者与产业链参与者宜保持审慎关注，密切跟踪各环节供需数据的动态变化。
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