三星示警: DRAM明年更吃緊；HBM虹吸通用DRAM产能
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-10-01
存储市场新变局：HBM产能扩张重塑DRAM格局
当前全球存储芯片市场正经历深刻变革。随着人工智能产业的蓬勃发展，高带宽存储器（HBM）需求激增，导致其在全球动态随机存取存储器（DRAM）产能中的占比迅速提升，进而对传统DRAM产能产生排挤效应。
产能排挤效应显现，利基型存储迎发展新机
存储芯片龙头三星电子近期发出预警，指出随着人工智能应用的普及，高带宽存储器（HBM）对晶圆产能的占用将持续扩大。据三星电子执行副总裁Kim Taewoo透露，预计明年HBM占全球DRAM晶圆总产能的比重将由目前的约20%攀升至近30%。由于HBM与传统DRAM共用晶圆产线，且HBM的晶圆消耗量是普通DRAM的三倍以上，这种产能结构的调整不可避免地会对传统DRAM的供应造成挤压。
这一趋势引发了行业机构的高度关注。机构分析认为，随着国际大厂将资源向AI领域倾斜，DDR4、DDR3及利基型内存等传统DRAM的产能将受到排挤，供应趋紧或将成为常态。对于主攻传统DRAM市场的中国台湾存储器厂商南亚科与华邦而言，这或许是一个积极信号。机构预期，在供应收紧的背景下，相关厂商的接单量有望增加，产品价格也将获得更有力的支撑。
南亚科总经理李培瑛此前在法说会上表示，AI相关存储需求快速增加，已对PC、手机及消费电子产品的供给产生排挤，缺货情况预计将持续数个季度，下半年DRAM价格仍有上行空间。目前，南亚科产能已处于满载状态，并积极与客户建立长期供货关系，长期合约已覆盖约五成产能。华邦总经理陈沛铭也持类似观点，认为AI需求将持续推升存储用量，预计2027年市场供需将比今年更为紧张。为此，华邦已启动高雄厂模组B扩建计划，规划于明年1月动工，预计2029年底实现量产。
机构进一步指出，当前的供需形势促使客户更加重视中长期货源的掌握，采购考量已从单一的价格因素延伸至交期与供货保障。对于中国台湾的存储厂商而言，除了价格回升带来的红利，下游客户寻求替代供应商的需求也日益凸显。若能维持稳定出货并配合产品验证，有望将短期的转单转化为长期的合作，为未来的运营增长增添动能。
业绩预期向好，三星电子股东回馈规模或创新高
在存储市场供需格局变化的背景下，三星电子的业绩前景被市场普遍看好。韩国KB证券发布报告预测，三星电子下一轮三年的股东回馈规模有望达到600兆韩元，这一数字是过去三年回馈规模的四倍以上。仅在今年下半年，就可能执行70兆韩元的现金股利与40兆韩元的库藏股买回注销。
KB证券研究中心主管Kim Dong-won在报告中指出，这一预测基于三星电子盈利能力的爆发式增长。机构预计，三星电子的全年营业利润将在2026年达到368兆韩元，并在2027年进一步攀升至555兆韩元。这一增长的核心驱动力正是高带宽存储器（HBM）。
据三星电子在“Korea Premium Week 2026”活动中的预测，HBM占全球DRAM晶圆产能的比重将在2027年突破三分之一。这意味着，剔除HBM后的普通DRAM产能占比将从2025年的73%快速缩减至2027年的59%。KB证券分析认为，在现有供给结构下，普通DRAM出现供应短缺几乎是必然结果。
此外，产品结构的升级也将带动价值提升。三星电子的HBM4营收占比预计将从2026年的40%倍增至2027年的80%。KB证券估计，2027年HBM的销售单价将较前一年上涨100%以上。HBM与普通DRAM的同步供应紧张将带动业绩改善，而增加的现金流又将回馈至股东，形成良性循环。
当前全球存储芯片市场正经历深刻变革。随着人工智能产业的蓬勃发展，高带宽存储器（HBM）需求激增，导致其在全球动态随机存取存储器（DRAM）产能中的占比迅速提升，进而对传统DRAM产能产生排挤效应。
产能排挤效应显现，利基型存储迎发展新机
存储芯片龙头三星电子近期发出预警，指出随着人工智能应用的普及，高带宽存储器（HBM）对晶圆产能的占用将持续扩大。据三星电子执行副总裁Kim Taewoo透露，预计明年HBM占全球DRAM晶圆总产能的比重将由目前的约20%攀升至近30%。由于HBM与传统DRAM共用晶圆产线，且HBM的晶圆消耗量是普通DRAM的三倍以上，这种产能结构的调整不可避免地会对传统DRAM的供应造成挤压。
这一趋势引发了行业机构的高度关注。机构分析认为，随着国际大厂将资源向AI领域倾斜，DDR4、DDR3及利基型内存等传统DRAM的产能将受到排挤，供应趋紧或将成为常态。对于主攻传统DRAM市场的中国台湾存储器厂商南亚科与华邦而言，这或许是一个积极信号。机构预期，在供应收紧的背景下，相关厂商的接单量有望增加，产品价格也将获得更有力的支撑。
南亚科总经理李培瑛此前在法说会上表示，AI相关存储需求快速增加，已对PC、手机及消费电子产品的供给产生排挤，缺货情况预计将持续数个季度，下半年DRAM价格仍有上行空间。目前，南亚科产能已处于满载状态，并积极与客户建立长期供货关系，长期合约已覆盖约五成产能。华邦总经理陈沛铭也持类似观点，认为AI需求将持续推升存储用量，预计2027年市场供需将比今年更为紧张。为此，华邦已启动高雄厂模组B扩建计划，规划于明年1月动工，预计2029年底实现量产。
机构进一步指出，当前的供需形势促使客户更加重视中长期货源的掌握，采购考量已从单一的价格因素延伸至交期与供货保障。对于中国台湾的存储厂商而言，除了价格回升带来的红利，下游客户寻求替代供应商的需求也日益凸显。若能维持稳定出货并配合产品验证，有望将短期的转单转化为长期的合作，为未来的运营增长增添动能。
业绩预期向好，三星电子股东回馈规模或创新高
在存储市场供需格局变化的背景下，三星电子的业绩前景被市场普遍看好。韩国KB证券发布报告预测，三星电子下一轮三年的股东回馈规模有望达到600兆韩元，这一数字是过去三年回馈规模的四倍以上。仅在今年下半年，就可能执行70兆韩元的现金股利与40兆韩元的库藏股买回注销。
KB证券研究中心主管Kim Dong-won在报告中指出，这一预测基于三星电子盈利能力的爆发式增长。机构预计，三星电子的全年营业利润将在2026年达到368兆韩元，并在2027年进一步攀升至555兆韩元。这一增长的核心驱动力正是高带宽存储器（HBM）。
据三星电子在“Korea Premium Week 2026”活动中的预测，HBM占全球DRAM晶圆产能的比重将在2027年突破三分之一。这意味着，剔除HBM后的普通DRAM产能占比将从2025年的73%快速缩减至2027年的59%。KB证券分析认为，在现有供给结构下，普通DRAM出现供应短缺几乎是必然结果。
此外，产品结构的升级也将带动价值提升。三星电子的HBM4营收占比预计将从2026年的40%倍增至2027年的80%。KB证券估计，2027年HBM的销售单价将较前一年上涨100%以上。HBM与普通DRAM的同步供应紧张将带动业绩改善，而增加的现金流又将回馈至股东，形成良性循环。
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