SK海力士发布业内最高带宽DRAM：达460GB/s，预计2020年量产

SK海力士官网宣布研发出业内最高带宽产品HBM2E DRAM。相较于上一代HBM2产品，新一代HBM2E带宽增长接近50%，容量将近翻倍。

HBM2E基于每个Pin针3.6Gbps的速度性能以及1,024 数据的IOPs，所支持的带宽达每秒460GB。通过TSV技术，最多可以垂直堆叠8个16Gb的芯片，形成密度为16GB的单封装芯片。

HBM2E是针对工业4.0推出的最佳存储解决方案，支持高端GPU、超级计算机、机器学习、人工智能等需要高性能存储的系统。与采用模块封装形式并安装在系统板上的商品DRAM产品不同，HBM芯片与处理器（如GPU和逻辑芯片）紧密相连，距离仅为几个单元，允许更快的数据传输。

HBM事业部负责人Jun-Hyun Chun表示，“自从2013年首款HBM发布以来，SK海力士就建立起了业内领先地位，SK海力士计划在2020年大规模量产HBM2E芯片，并继续加强在该领域的领先地位。”