美光推出业界首款16Gb LPDDR4X

美光推出业界首款使用1z nm技术，容量高达 16Gb的 LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4，功耗更低能有效延长电池寿命，有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。

美光的1z nm LPDDR4X产品拥有业界最低的功耗，同时提供高达4266 Mbps速度。与上一代产品相比，功耗降低了10％。作为业界目前可用的最高容量单片16Gb LPDDR4X芯片（可在单个封装中堆叠多达8个芯片），LPDDR4X可在不增加前几代LPDDR4封装尺寸的情况下使容量翻倍。

美光表示，采用分立设计和低功耗多芯片封装，使得存储器在相同的占位面积内提供更高的密度，以满足更广泛的智能手机用户群。“新的16Gb LPDDR4X旨在满足当今数据日益增长的应用需求，同时对未来边缘计算、人工智能以及高带宽的5G应用方面也能够提供很好的体验”。

Micron LPDDR4X存储解决方案现已批量供货，若基于UFS的多芯片封装（uMCP4），可提供从3GB+64GB到8GB+256GB范围的八种不同配置。多芯片封装的uMCP4解决了中端到高端市场中移动设备不断增长的存储需求，而这些移动设备寻求与旗舰智能手机类似的性能。

Micron uMCP是结合了LPDDR、NAND Flash和控制器芯片，比移动解决方案（PoP +分立式NAND）占用的空间减少了40%，减少了存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计。美光MCP使用先进的封装技术将LPDDR堆叠在NAND之上，再加上UFS控制芯片，从而实现适合小型智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。