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提供更佳效能与双埠配置,WD新款高阶NVMe SSD上阵

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-07-16
WD在6月推出新款资料中心等级NVMe固态硬碟,采用双埠的配置,耐写程度、存取效能均有所提升
今年3月,WD针对资料中心固态硬碟的产品线,推出WD Gold NVMe SSD的机型,规格与去年8月发表的Ultrastar DC SN640部分机型(每日写入量为0.8),几乎完全相同,到了6月,该公司推出耐用度与效能更高的Ultrastar DC SN840,而且提供双埠(Dual Port)的配置,能够提供存取SSD的备援路径,支援高可用度的储存系统应用需求,属于WD这类产品的第三代解决方案,可用于加速云端运算、执行关键业务工作负载的伺服器,以及着重高可用度的外部储存系统,预计7月开始出货。
就快闪记忆体技术而言,WD先前推出的SN640采用WD的BICS4 96层3D NAND TLC,而最新发表的SN840,采用WD的96层3D NAND(并未提及BICS4),而在I/O介面的部分,都是PCIe 3.1 x4,以及WD发展的NVMe控制器(遵循NVMe 1.3c的标准)。
从细部规格来看,SN640和SN840都根据耐写度来区隔不同机型,前者的每日写入量有0.8和2等两种配置,目前的最大储存容量为7.68 TB(未来将推出15.36TB、30.72TB机型) ,外形为2.5吋U.2、厚度为7公厘(未来将提供M.2与E1.L机型);后者的每日写入量有1和3等两种配置,最大储存容量为15.36 TB ,外形为2.5吋U.2、厚度为15公厘。就可靠度而言,SN640的平均故障间隔时间(MTBF),SN840则为250万小时,两者均提供5年有限保固。
而在效能表现上, SN840有一些突破。例如,在循序读写的部分,最高为3311 MiB/s与3184 MB/s(3.8TB的机型),随机读写则可达到78万IOPS与25.7万IOPS(3.2TB的机型)。SN640在循序读写的部分,最高为3000 MiB/s与2000 MB/s(1.92 TB的机型),随机读写则可达到47.3万IOPS与11.6万IOPS(1.6 TB的机型)。
在资料保护的部分,SN840可支援安全抹除(SE)、快速安全抹除(ISE)、TCG Ruby,以及FIPS 140-2等4种标准,7种容量均提供4种加密与安全销毁的选择。相较之下,SN640仅提供ISE。
具备多种企业级功能,也是SN840后续相当值得关注的特色。例如,当中提供了128个命名空间(namespace)、原子写入(Atomic Write)、多种磁区容量、碎片收集清单(SGL),以及支援NVMe管理介面(NVMe-MI)1.1的标准。

产品资讯

WD Ultrastar DC SN840
 ●原厂:WD
 ●建议售价:厂商未提供
●机型、储存容量、耐写度:每日写入量为3的机型,有1.6TB、3.2TB、6.4TB;每日写入量为1的机型,有1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB
 ●外形:2.5吋U.2(厚度为15公厘)
●储存媒体:3D NAND,TLC
 ●最高读写速度:循序3311 MiB/s与3184 MB/s,随机78万IOPS与25.7万IOPS
 ●使用介面:PCIe 3.11 x4/NVMe 1.3c
 ●可靠度:250万小时MTBF
 ●保固期间:5年
【注:规格与价格由厂商提供,因时有异动,正确资讯请洽厂商】