提供更佳效能与双埠配置，WD新款高阶NVMe SSD上阵

WD在6月推出新款资料中心等级NVMe固态硬碟，采用双埠的配置，耐写程度、存取效能均有所提升

今年3月，WD针对资料中心固态硬碟的产品线，推出WD Gold NVMe SSD的机型，规格与去年8月发表的Ultrastar DC SN640部分机型（每日写入量为0.8），几乎完全相同，到了6月，该公司推出耐用度与效能更高的Ultrastar DC SN840，而且提供双埠（Dual Port）的配置，能够提供存取SSD的备援路径，支援高可用度的储存系统应用需求，属于WD这类产品的第三代解决方案，可用于加速云端运算、执行关键业务工作负载的伺服器，以及着重高可用度的外部储存系统，预计7月开始出货。

就快闪记忆体技术而言，WD先前推出的SN640采用WD的BICS4 96层3D NAND TLC，而最新发表的SN840，采用WD的96层3D NAND（并未提及BICS4），而在I/O介面的部分，都是PCIe 3.1 x4，以及WD发展的NVMe控制器（遵循NVMe 1.3c的标准）。

从细部规格来看，SN640和SN840都根据耐写度来区隔不同机型，前者的每日写入量有0.8和2等两种配置，目前的最大储存容量为7.68 TB（未来将推出15.36TB、30.72TB机型） ，外形为2.5吋U.2、厚度为7公厘（未来将提供M.2与E1.L机型）；后者的每日写入量有1和3等两种配置，最大储存容量为15.36 TB ，外形为2.5吋U.2、厚度为15公厘。就可靠度而言，SN640的平均故障间隔时间（MTBF），SN840则为250万小时，两者均提供5年有限保固。

而在效能表现上， SN840有一些突破。例如，在循序读写的部分，最高为3311 MiB/s与3184 MB/s（3.8TB的机型），随机读写则可达到78万IOPS与25.7万IOPS（3.2TB的机型）。SN640在循序读写的部分，最高为3000 MiB/s与2000 MB/s（1.92 TB的机型），随机读写则可达到47.3万IOPS与11.6万IOPS（1.6 TB的机型）。

在资料保护的部分，SN840可支援安全抹除（SE）、快速安全抹除（ISE）、TCG Ruby，以及FIPS 140-2等4种标准，7种容量均提供4种加密与安全销毁的选择。相较之下，SN640仅提供ISE。

具备多种企业级功能，也是SN840后续相当值得关注的特色。例如，当中提供了128个命名空间（namespace）、原子写入（Atomic Write）、多种磁区容量、碎片收集清单（SGL），以及支援NVMe管理介面（NVMe-MI）1.1的标准。