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朗科:要研发 DDR5-10000MHz 以上记忆体?

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-04-28
如无意外的话,我们最快可以在今年年末至明年初就会有新一代 DDR5 记忆体推出市场,当中在 2018 年涉足记忆体模组行业的内地品牌 Netac 朗科科技在两星期前才公布取得首批 Micron DDR5 DRAM,日前再宣布已完成自产 DDR5 记忆体模组阶段,正在与 ASUS、MSI 等主机板厂商合作验证兼容性测试,并表示可成功开机并运行至操作系统。 
 
Netac 朗科科技表示,刚完成自家生产的 DDR5 是单条、单面 16GB 容量的记忆体,采用 Micron DDR5 DRAM ( R5 ),基于1znm 制程、FBGA 82-ball 封装,IC 编号为 Z9ZSB ES,颗粒尺寸为 11x9mm、容量为 2Gx8,时序为 40-40-40,并用上 KO-8802A-5 的黑板 PCB。 
预计新一代的 DDR5 记忆体将会由时脉 4800MHz 起步就将是,至于 DDR5 的极限呢 ? 朗科在早前公布 DDR5 计划时,曾表示正准备投入资源研发可达 10000MHz 以上的 DDR5 记忆体产品,果然要“敢想才敢做”并非人人都可以,你又会否期待 DDR5-10000MHz 以上的记忆体 ?