美元换人民币  当前汇率7.20

英特尔NAND翻新页,Solidigm资料中心SSD登场

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-07-15
去年底英特尔将固态硬盘业务转移至SK海力士而成立了Solidigm,今年4月推出两款资料中心固态硬盘,皆采用144层NAND技术而成.在2020年12月,英特尔基于114层NAND快闪记忆体技术,推出多款资料中心硬碟产品,在此之后,我们曾报导D7-P5510、D5-P5316,但在10月,该公司已宣布将NAND快闪记忆体与固态硬盘业务,卖给南韩的SK海力士公司(SK Hynix),2021年12月完成第一阶段合并交易,先前英特尔位于中国大连的NAND记忆体制造厂的资产,也转移到SK Hynix,他们为此在美国成立子公司Solidigm管理相关业务。
值得注意的是,Solidigm这家新公司的出现,也象征英特尔投入NAND快闪记忆体领域长达五十多年的发展历程,如今进入不同篇章。
到了2022年4月,Solidigm发表两款资料中心等级的固态硬盘,分别是:专攻读取密集型与轻量混合型工作负载的D7-P5520(每日写入量为1),以及针对混合型工作负载应用需求的D7-P5620(每日写入量为3),它们均采用PCIe 4.0 x4的I/O介面,搭配相同的储存媒体技术(144层NAND)、韧体、控制器,在可用性确保机制的部分,这里增加了额外的韧体检查,若突然发生断电状况,可验证资料是否正确储存在固态硬盘当中,并且通过超越业界标准与一般实务的严格测试。
由于与D7-P5510、D5-P5316同样采用144层NAND技术,在今年几家系统厂商举行的全球用户大会,例如,Dell Technologies World、HPE Discover,现场展出Solidigm产品时,我们所看到的外观都是沿用Intel过去固态硬盘的样子,并未改用新的厂牌识别,甚至在英特尔自家的产品技术规格网站上,D7-P5520与D7-P5620也都以Intel SSD的系列被列入其中。  
对此,Solidigm表示,这两款产品早期由英特尔储存部门开发,其时间早于Solidigm成立,目前英特尔网站所标示的NAND SSD产品,如D7-P5520和D7-P5620,皆为Solidigm SSD产品。Solidigm未来的产品将采用Solidigm的品牌标识,并由Solidigm负责开发、制造、销售。
关于存取效能的表现而言,新上市的D7-P5520对于4K随机读取的负载,最高可达到110万IOPS,4K随机写入为22万IOPS;而在实测数据的呈现上,相较于上一代产品D7-P5510的4K随机读取与写入,D7-P5520分别提升42%、17%。
在4K读写存取延迟上,D7-P5520列出的规格为75微秒与15微秒,在实测上,比前代缩短43%,若对照竞争产品,D7-P5520在同样面临写入工作负载的压力之下,读取回应速度提高40%。
D7-P5620在4K随机读取的效能同为110万IOPS,4K随机写入为39万IOPS。而在实测数据的呈现上,比起上一代DC P4610在4K随机读写效能上,D7-P5620分别提升56%、53%。在4K读写存取延迟上,D7-P5620同为75微秒与15微秒,比上一代缩短29%。
在总体拥有成本的部分,若以2U尺寸伺服器为基准,如果用户需要获得368 TB储存容量,相较于搭配7.68 TB的D7-P5510,需设置到48台,改用15.36 TB容量的D7-P5520,仅需设置24台,只需要一半的机架空间,耗电量可减少44%。
关于产品的外形,今年上市的D7-P5520也打破惯例,跟随市面上其他资料中心固态硬盘产品的最新趋势,同时提供4种选择──不只是过去常见的2.5吋U.2,以及后起的尺形E1.L(厚度为9.5公厘),也提供配备对称式外壳E1.S(厚度为9.5公厘)、配备非对称式外壳的E1.S(厚度为15公厘)。
产品资讯
Solidigm D7-P5520
●原厂:Solidigm
●建议售价:厂商未提供
●储存容量:1.92 TB、3.84 TB、7.68 TB、15.36 TB
●外形:2.5吋U.2(厚15公厘)、E1.S(厚9.5公厘)、E1.S(厚15公厘)、E1.L(厚9.5公厘)
●储存媒体:144层3D NAND,TLC
●最高读写速度:循序7100 MB/s与4200 MB/s,随机110万IOPS与22万IOPS
●使用介面:PCIe 4.0 x4/NVMe 1.4/NVMe-MI 1.1
●耐用度:每日写入量为1
●可靠度:200万小时MTBF
●保固期间:5年有限保固
Solidigm D7-P5620
●原厂:Solidigm
●建议售价:厂商未提供
●储存容量:1.6 TB、3.2 TB、6.4 TB、12.8 TB
●外形:2.5吋U.2(厚15公厘)
●储存媒体:144层3D NAND,TLC
●最高读写速度:循序7100 MB/s与4200 MB/s,随机110万IOPS与39万IOPS
●使用介面:PCIe 4.0 x4/NVMe 1.4/NVMe-MI 1.1
●耐用度:每日写入量为3
●可靠度:200万小时MTBF
●保固期间:5年有限保固
【注:规格与价格由厂商提供,因时有异动,正确资讯请洽厂商】