厮杀到2纳米以下！台积电抢进埃米时代

中国台湾全球晶圆代工龙头台积电日前于美国举行2024年北美技术论坛，会中揭示其最新的制程技术，台积电首度发表TSMC A16 技术，为2纳米制程的强化版，预计2026年量产，至此，先进制程领域所有厂商2纳米以下的发展蓝图全部曝光，晶圆代工制程也从纳米（nm）时代走入制程更微缩的埃米（A）时代，从量产时程来看，台积电又获得先机，不让竞争对手在2纳米以下有弯道超车的机会，继续保持竞争优势。
台积电表示，随着领先业界的N3E技术进入量产，N2技术预计于2025年下半年量产，台积电在其技术蓝图上推出了新技术A16。A16将结合超级电轨（Super Power Rail）架构与纳米片电晶体，预计于2026年量产。
台积电说明，超级电轨技术将供电网路移到晶圆背面而在晶圆正面释出更多讯号网路的布局空间， 藉以提升逻辑密度和效能， 让A16适用于具有复杂讯号布线及密集供电网路的高效能运算（HPC）产品。
英特尔则是在2月首次举行的IFS Direct Connect 2024活动，宣布继4年5个制程节点计划后，于2027年前推出Intel 14A 制程，将导入由艾司摩尔（ASML）供应的TWINSCAN EXE:5000、高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备来生产，预计比Intel 18A制程能耗效率提高15%，电晶体密度增加20%，预计2027 年启用High-NA EUV设备，生产 Intel 14A 制程。
三星则是最早从鳍式场效电晶体架构（FinFET）转入环绕闸极电晶体架构（Gate-All-Around，GAAFET）的厂商，只不过最新的制程蓝图，仍停留在Samsung Foundry Forum 2022以及三星 Foundry于2023年以色列半导体展会所公布的资讯。三星在2022年6月宣布量产3纳米GAA 多桥通道场效应电晶体（MBCFET）制程（SF3E）后，并采用纳米片设计，今年宣布第二代3纳米GAA制程（SF3），并导入第二代MBCFET，还有性能加强版的SF3P，能用于高效能运算芯片。直到2025年，三星将大规模量产2纳米制程（SF2），2027年将量产SF1.4制程，约莫为14A制程。
整体来看，台积电2纳米制程时程比原先提前，甚至在这次的技术论坛发布的A16制程进度，相比三星3纳米目前客户乏人问津，英特尔仍困在晶圆代工事业亏损阶段，台积电的先进制程预计能在2026年就抢先跨入埃米时代，持续保持竞争优势。