独立MRAM的应用

MRAM的制程在快速进展中，于嵌入式记忆体的应用已有一席之地，于独立记忆体则有待观察。 

MRAM在半导体制程嵌入式记忆体的应用算是站稳脚了，剩下的只是能替代几层cache的问题。但是最早的MRAM产品是独立记忆体的形式，虽然在第一代toggle MRAM－用电流产生磁场、进而翻转磁矩－的能源效率不高，写入电流高，单元面积也大，但是对于要求写入速度快、永久储存的利基市场已经初试啼声。

随着MRAM的技术演进，写入电流大幅下降，需要提供驱动电流的CMOS也随之变小，因而密度得以大幅提高。现在Everspin用28nm可以做出1Gb的STT MRAM，介面是现在DRAM常用的DDR4，这意味着它写入速度已如DRAM一般，在10ns左右，更好的是它毋需定期更新(refresh)，节省能耗；读取资料也不是破坏式的，因此也不必再重新写入资料。

就如同一般新科技产品，刚开始时因为成本高，只能先攻取单价高的利基市场。一个典型的MRAM应用例子是数据中心的独立硬碟随机阵列(Random Array Independent Disk；RAID)。网路资料上传时数据中心写入固态硬碟中NAND的速度很慢，所以需要DRAM当资料缓冲记忆体。但是若发生断电时，DRAM上正在处理的资料就会流失，对于处理重要数据如金融交易是不可承受之重，而这就是MRAM上场的时机了。去年Everspin发表的案例研究server storage accelerator道理与此相近。

IBM才发表的19TB SSD，也是用几片Everspin的1Gb STT MRAM当成写入缓冲记忆体，道理同样是预防断电时的资料流失。它还有另外的好处，一个以DRAM当写入缓冲记忆体的硬碟如果要预防断电资料流失，需要加装超级电容(supercapacitor)，提供断电后的电源让DRAM中的资料能顺利移转到SSD中的NAND。但是超级电容很贵，超级电容加DRAM的价格便足以支持MRAM的使用。另外，超级电容体积很大，无法装进Intel SSD M.2的规格，MRAM就没这问题。

MRAM的制程还在快速进展之中，目前实验看到的是，它可以持续下降到10nm以下，而且写入电流翻转磁矩的效率还在快速提升，这使得提供写入电流的CMOS－目前微缩尺寸的瓶颈－得以有效微缩。做MRAM的人总想瓜分DRAM市场，目前在嵌入式的应用看来时机到了。至于独立记忆体呢？只能说再假以时日吧！