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凯侠(原来的东芝存储)PLC闪存技术Twin BiCS

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-12-18

闪存是一直求新求变的市场。

NAND闪存从SLC、MLC、TLC进化到3D TLC、3D QLC等新技术,伴随而来的就是SSD固态硬盘的价格大幅下探,已被桌面、笔记本及数据中心市场广为接受。为进一步提高SSD容量、降低成本,闪存厂商开始推100+层堆栈的3D闪存,但是层数越多,制造难度也会增加,而且还要在每个单元内容纳更多的存储电位,挑战很大。

PLC作为QLC之后的新一代闪存,代表着Penta-Level Cell,也就是每个Cell单元存储5位电荷,总计32组电压,意味着写入性能更慢,可靠性也会再差一个级别。但是PLC闪存势不可挡,因为它比QLC闪存还有25%的缩放优势,这对厂商来说是不能错过的机会,所以今年以来东芝、西数等公司都在讨论PLC闪存的可能。

这不,作为NADN闪存技术的发明者,凯侠(原来的东芝存储)在新一代闪存研发上再次甩开对手,率先推出了Twin BiCS FLASH闪存技术,有望成为PLC闪存的最佳搭档。

据快科技报道,凯侠推出的Twin BiCS闪存是全球首个3D半圆形分裂浮栅极闪存单元,简单来说就是将传统的浮栅极分裂为两个对称的半圆形栅极,利用曲率效应提高闪存编程/擦除过程中的性能。同时,分裂浮栅极减少了物理尺寸,使得同样的单元里可以容纳更多的电位——直白点说就是,Twin BiCS闪存也给QLC之后的PLC闪存铺平了道路。

值得指出的是,虽然新型闪存中也有BiCS的字样,但目前BiCS闪存主流结构一般基于CTP电荷捕捉型。在进入3D闪存时代之后,几乎所有闪存厂商都转向了制造更简单的CTP技术而放弃了浮栅极技术,最后坚持的两家厂商中——美光在96层闪存之后也会放弃浮栅极技术,只有Intel还在坚持浮栅极技术,后者性能、可靠性更好,但是制造工艺复杂。

但东芝的Twin BiCS闪存技术现又回到浮栅极技术路线上来,预示着未来有可能改变全球闪存技术的走向。同时,对主控芯片也相应提出更高性能要求,格局有望进一步分化。