凯侠（原来的东芝存储）PLC闪存技术Twin BiCS

闪存是一直求新求变的市场。

NAND闪存从SLC、MLC、TLC进化到3D TLC、3D QLC等新技术，伴随而来的就是SSD固态硬盘的价格大幅下探，已被桌面、笔记本及数据中心市场广为接受。为进一步提高SSD容量、降低成本，闪存厂商开始推100+层堆栈的3D闪存，但是层数越多，制造难度也会增加，而且还要在每个单元内容纳更多的存储电位，挑战很大。

PLC作为QLC之后的新一代闪存，代表着Penta-Level Cell，也就是每个Cell单元存储5位电荷，总计32组电压，意味着写入性能更慢，可靠性也会再差一个级别。但是PLC闪存势不可挡，因为它比QLC闪存还有25%的缩放优势，这对厂商来说是不能错过的机会，所以今年以来东芝、西数等公司都在讨论PLC闪存的可能。

这不，作为NADN闪存技术的发明者，凯侠（原来的东芝存储）在新一代闪存研发上再次甩开对手，率先推出了Twin BiCS FLASH闪存技术，有望成为PLC闪存的最佳搭档。

据快科技报道，凯侠推出的Twin BiCS闪存是全球首个3D半圆形分裂浮栅极闪存单元，简单来说就是将传统的浮栅极分裂为两个对称的半圆形栅极，利用曲率效应提高闪存编程/擦除过程中的性能。同时，分裂浮栅极减少了物理尺寸，使得同样的单元里可以容纳更多的电位——直白点说就是，Twin BiCS闪存也给QLC之后的PLC闪存铺平了道路。

值得指出的是，虽然新型闪存中也有BiCS的字样，但目前BiCS闪存主流结构一般基于CTP电荷捕捉型。在进入3D闪存时代之后，几乎所有闪存厂商都转向了制造更简单的CTP技术而放弃了浮栅极技术，最后坚持的两家厂商中——美光在96层闪存之后也会放弃浮栅极技术，只有Intel还在坚持浮栅极技术，后者性能、可靠性更好，但是制造工艺复杂。

但东芝的Twin BiCS闪存技术现又回到浮栅极技术路线上来，预示着未来有可能改变全球闪存技术的走向。同时，对主控芯片也相应提出更高性能要求，格局有望进一步分化。