真的能用吗? 寿命更低的 PLC NAND Flash 记忆体即将登场

NAND Flash 记忆体由 SLC -> MLC -> TLC -> QLC，虽然成本逐步下降，容量又有提升，但却是用效能与寿命来换取的。而今年，QLC 亦发展迅速，可能度亦增加不少，但是这种产品真的不是人人可接受到。不过更坏的是比 QLC 更差的 PLC 亦已经在路上了。

QLC 的 P/E 擦写寿命在宣传上有 1,000 次，但实际上大概只有几百次，有猜测估计 PLC 若果搞不好，寿命有机会跌到 100 次左右了。

对消费者而言，QLC 颗粒已经难接受，更别提再低一级的 PLC，这寿命和速度很难令人满意、放心。不过各厂商都对 PLC 记忆体的研究开始已久，随着 QLC 已发展到了第三、第四代，目前的性能、容量、可靠性算是维持住底线了，而研发中的 PLC 打入市场也只是迟早的事。

由 Intel 早前的表态看来，其早就规划好 PLC 的推行，不过好消息是其 3D PLC 将坚持使用浮栅型结构 (Floating Gate)，即使当前 3D NAND Flash 记忆体的主流结构是 Charge Trap 电荷捕获型，但 Intel 指 Floating Gate 在读取干扰、数据保持期上更出色。

Samsung、Toshiba、Micron、SK Hynix、West Digital 等公司的 PLC 也是箭在弦上，只是时间早晚的问题。