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真的能用吗? 寿命更低的 PLC NAND Flash 记忆体即将登场

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-06-02
NAND Flash 记忆体由 SLC -> MLC -> TLC -> QLC,虽然成本逐步下降,容量又有提升,但却是用效能与寿命来换取的。而今年,QLC 亦发展迅速,可能度亦增加不少,但是这种产品真的不是人人可接受到。不过更坏的是比 QLC 更差的 PLC 亦已经在路上了。
QLC 的 P/E 擦写寿命在宣传上有 1,000 次,但实际上大概只有几百次,有猜测估计 PLC 若果搞不好,寿命有机会跌到 100 次左右了。
对消费者而言,QLC 颗粒已经难接受,更别提再低一级的 PLC,这寿命和速度很难令人满意、放心。不过各厂商都对 PLC 记忆体的研究开始已久,随着 QLC 已发展到了第三、第四代,目前的性能、容量、可靠性算是维持住底线了,而研发中的 PLC 打入市场也只是迟早的事。
由 Intel 早前的表态看来,其早就规划好 PLC 的推行,不过好消息是其 3D PLC 将坚持使用浮栅型结构 (Floating Gate),即使当前 3D NAND Flash 记忆体的主流结构是 Charge Trap 电荷捕获型,但 Intel 指 Floating Gate 在读取干扰、数据保持期上更出色。
Samsung、Toshiba、Micron、SK Hynix、West Digital 等公司的 PLC 也是箭在弦上,只是时间早晚的问题。