是RAM也是NAND Flash-ULTRARAM
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-07-18
系统存储器 RAM 因为无法在断电后保留资料，因此即便速度比 SSD 所用的 NAND Flash 芯片快上好几倍，但不适合做为资料保存的媒介，不过英国 Quinas Technology 成功发明了具备保存资料能力与 1000 万次写入寿命的 ULTRARAM，并获得了启动资金，将用于挑战量产化。
ULTRARAM 同时具备的 RAM 超高频宽以及 NAND Flash 能储存资料特性，采用由砷化铟（InAs）和锑化铝（AlSb）制成的三层式结构，可透过施加电压的不同，在高电阻、高导电两者型态之间切换，达到锁住电子，保留资料的能力，更有着比 RAM 高出 10 倍的传输速度。
同时材料本身具备超低功耗的特性，每个储存单位的电闸功耗是 RAM 的1 / 100，SSD 的1 / 1000，且写入寿命可以上看 1000 万次，比起 NAND Flash 的 1 万次高出一千倍，甚至还能在完全不通电的情况下，保存资料达 1000 年。
ULTRARAM 的特性让其及时适合用于服务器、资料中心等设备中，让存储器可以同时充当硬碟使用，不仅提升传输速度，能够保存资料的特性也可以降低设备断电时的档案资料损失。如果用于 3C 消费型产品，则可以将将 RAM 与 SSD 二合一，减少设备空间的占用。
不过如同各种新式材料，ULTRARAM 现在还无法量产，因此 Quinas Technology 争取到了 110 万英镑的投资，用于让 ULTRARAM 走向量产，倘若真的成功，将对整个电脑硬体带来革命性的变化。
同时材料本身具备超低功耗的特性，每个储存单位的电闸功耗是 RAM 的1 / 100，SSD 的1 / 1000，且写入寿命可以上看 1000 万次，比起 NAND Flash 的 1 万次高出一千倍，甚至还能在完全不通电的情况下，保存资料达 1000 年。
ULTRARAM 的特性让其及时适合用于服务器、资料中心等设备中，让存储器可以同时充当硬碟使用，不仅提升传输速度，能够保存资料的特性也可以降低设备断电时的档案资料损失。如果用于 3C 消费型产品，则可以将将 RAM 与 SSD 二合一，减少设备空间的占用。
不过如同各种新式材料，ULTRARAM 现在还无法量产，因此 Quinas Technology 争取到了 110 万英镑的投资，用于让 ULTRARAM 走向量产，倘若真的成功，将对整个电脑硬体带来革命性的变化。
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