DRAM微缩触顶催生3D堆叠大战，混合键合成存储器新核心工艺

平面微缩红利枯竭，三星VS-DRAM与SK海力士4F2探路立体架构

在2026年VLSI Symposium上，存储器巨头集中展示从"平面微雕"转向"立体攻坚"的路线。SK海力士发表垂直通道4F2单元DRAM，以双闸极与薄膜硅通道抑制漏电；三星展示VS-DRAM，将16层存储单元垂直堆叠，导入环栅（GAA）与Peri-on-Cell熔融键合，以硅穿介质通孔（TSDV）完成电气连接。平面DRAM的6F2架构微缩逼近物理极限，3D结构成为延续密度提升的必然选项。


铠侠携手闪迪推多晶圆Cu-Cu键合，NAND向千层堆叠打开通道

NAND侧，单晶圆300—400层后深孔刻蚀引发电流衰减与晶圆弯曲，铠侠与闪迪（SanDisk）提出多晶圆混合键合（MSA-CBA）：控制电路晶圆与首层存储晶圆正面键合，后续存储晶圆经背面重布线继续向上堆叠，验证QLC写入稳定度，打通千层以上超高堆叠路径。产业分析认为，晶圆级对准、薄化与化学机械研磨能力，已从前段封装工艺上升为原厂架构设计的核心前提；未来竞争关键词从"更小线宽"转为"更高精度堆叠"。