从BiCS10到HBF：闪迪如何突破AI"存储墙"

随着算力竞争从训练走向推理，存储在系统中的角色被重新评估。闪迪在近期材料中提出，人工智能正重新定义NAND闪存的角色：随键值缓存、智能体人工智能与大模型推理持续扩张，闪存正从传统存储介质走向人工智能系统中的关键存储层。据公司预测，2026年全球闪存市场规模约达1.2ZB，数据中心将首次超过边缘端成为最大应用方向。
供给端，闪迪测算：2022年前行业大规模扩产曾使全球NAND晶圆产能达约183万片/月，2023至2025年需求不及预期，利用率一度降至约70%；经数年调整，约56万片/月产能退出，2026年行业产能已比历史峰值低约30%，利用率重回接近100%。该数据属企业测算口径。
技术路线上，闪迪提出3D NAND持续微缩需同时推进垂直堆叠、横向缩放、逻辑缩放与架构缩放四条路径，架构缩放的关键是把存储阵列与CMOS电路分别制造后再键合的CBA技术。2026年8月，铠侠与闪迪在FMS 2026联合发布第十代BiCS QLC 3D闪存，采用332层堆叠架构，位密度最高提升60%、突破37Gb/mm²，接口速率达4.8Gb/s。
最值得关注的是高带宽闪存（HBF）。闪迪的判断是，图形处理器算力快速提升，而高带宽内存容量有限、传统固态硬盘带宽不足，人工智能系统正遭遇"存储墙"，HBF的目标是在两者之间建立兼具大容量与高带宽的新型存储层级。业内同时注意到，部分存储厂商在3D堆叠与混合键合方向已有长期技术积累，为产业生态多元化提供了更多可能。
HBF正从概念走向标准化：2025年8月闪迪与SK海力士签署谅解备忘录启动合作，2026年2月成立技术联盟，同年8月双方通过开放计算项目（OCP）发布首套标准规范，定义8层与16层两种堆叠配置，最高支持512GB容量。闪迪表示首款HBF产品已完成流片，工程样品计划2026年下半年推出，商用目标定在2027年。
商业模式同步调整。为降低行业周期性冲击，闪迪与大客户签订1至5年期的供货量、产品组合与价格承诺，加权平均期限超过4年；公司披露2027财年约50%的供给将进入具备承诺条款的长期协议，2028财年预计提升至约67%。同时，闪迪已将长期路线扩展至BiCS9至BiCS13、HBF、3D矩阵存储与控制器系统能力，定位从传统闪存厂商转向人工智能存储架构公司。