三星400层以上V-NAND：以"分拆堆叠"策略取胜

在8月初举行的未来存储与内存大会（FMS 2026）上，三星电子发布第十代V-NAND产品V10 BV-NAND，这是业界首款采用晶圆键合架构的3D NAND，堆叠层数超过400层，存储密度较上一代V9提升约58%。
核心并非一味提高堆叠层数，而是"分拆堆叠"：其一是"三堆叠HARC合并"技术，将存储单元分成三个堆叠分别制造后再垂直连接；其二是"晶圆键合"技术，将单元与外围电路分别制作于不同晶圆后接合。
按三星半导体新闻室披露，V10位元密度提升58%以上，输入输出速度改善33%以上、达4.8Gbps以上，功耗降低25%以上，可支持128TB级固态硬盘与下一代PCIe 7.0固态硬盘，上述为企业披露口径。三星未只追求层数与容量，而是聚焦高集积、高性能、低功耗的同时达成——随着数据处理量增加，功耗已成为左右数据中心总持有成本的关键变量。