HBM产业进入下半场：从标准存储器迈向定制化芯片系统
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-09-05
高带宽存储器（HBM）产业正经历一场深刻的范式变革。从HBM4开始，HBM的竞争核心正从DRAM制程转移至底层的Base Die（基础芯片），一顆HBM越来越离不开先进逻辑制程。这一转变使HBM从标准件逐步迈向"定制化HBM"（Custom HBM），晶圆代工厂在AI存储器系统中的价值量呈指数级增长。
在HBM3E及更早的技术代际中，Base Die主要承担物理支撑、硅通孔（TSV）过孔引出以及基础的信号路由，功能相对单一，存储器原厂用自家的10纳米级DRAM工艺即可生产。但HBM4发生了重要变化：接口密度物理翻倍，总线接口宽度从1024-bit直接翻倍至2048-bit；同时逻辑功能深度下沉，GPU与ASIC厂商开始要求将存储器控制器、可测试性设计电路甚至特定算法的计算模块直接整合到Base Die中。
SK海力士在官网中写道："在HBM4中，逻辑芯片的作用日益凸显。HBM4的研发方向是提升基础芯片的性能，增强HBM堆叠与逻辑芯片之间的连接性，同时降低功耗。"Base Die已经开始从一颗相对简单的芯片变成一颗复杂的Logic Base Die，这撞上了存储器原厂的工艺壁垒——DRAM制造追求的是存储单元密度和成本，而复杂逻辑电路需要的是逻辑晶体管性能、布线密度以及先进EDA设计能力。
2024年，SK海力士与台积电宣布合作开发HBM4，双方提出建立一种由IC设计公司、晶圆代工厂和存储器厂商组成的三方合作模式，首个目标就是Base Die。这实际改变了HBM延续多年的产业分工：以前一顆HBM的主要构成是DRAM制造+TSV+堆叠封装，而现在越来越接近DRAM Core Die + Logic Base Die + Foundry + TSV + 先进封装。HBM由一颗"特殊的存储器"，越来越像一个小型的Chiplet系统。
在HBM3E及更早的技术代际中，Base Die主要承担物理支撑、硅通孔（TSV）过孔引出以及基础的信号路由，功能相对单一，存储器原厂用自家的10纳米级DRAM工艺即可生产。但HBM4发生了重要变化：接口密度物理翻倍，总线接口宽度从1024-bit直接翻倍至2048-bit；同时逻辑功能深度下沉，GPU与ASIC厂商开始要求将存储器控制器、可测试性设计电路甚至特定算法的计算模块直接整合到Base Die中。
SK海力士在官网中写道："在HBM4中，逻辑芯片的作用日益凸显。HBM4的研发方向是提升基础芯片的性能，增强HBM堆叠与逻辑芯片之间的连接性，同时降低功耗。"Base Die已经开始从一颗相对简单的芯片变成一颗复杂的Logic Base Die，这撞上了存储器原厂的工艺壁垒——DRAM制造追求的是存储单元密度和成本，而复杂逻辑电路需要的是逻辑晶体管性能、布线密度以及先进EDA设计能力。
2024年，SK海力士与台积电宣布合作开发HBM4，双方提出建立一种由IC设计公司、晶圆代工厂和存储器厂商组成的三方合作模式，首个目标就是Base Die。这实际改变了HBM延续多年的产业分工：以前一顆HBM的主要构成是DRAM制造+TSV+堆叠封装，而现在越来越接近DRAM Core Die + Logic Base Die + Foundry + TSV + 先进封装。HBM由一颗"特殊的存储器"，越来越像一个小型的Chiplet系统。
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