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台积电发表A16技术“进入埃米时代”
发布时间:2024-04-29 来源:
中国台湾台积电24日在美国加州圣克拉拉举行的北美技术论坛上,发表一种名为TSMC A16的新型芯片制造技术,从原先的2奈米突进4埃米(angstrom),制程来到16埃米(1埃米等于0.1奈米,16埃米的长度约只有头发直径的1.87万分之一),也正式宣告晶圆制程进入埃米时代,预计于2026年量产,将有助于加快人工智慧(AI)芯片的速度。
台积电介绍,A16将结合台积公司的超级电轨(Super Power Rail)架构与奈米片电晶体,预计于2026年量产。超级电轨技术将供电网路移到晶圆背面,而在晶圆正面释出更多讯号网路的布局空间,藉以提升逻辑密度和效能,让A16适用于具有复杂讯号布线及密集供电网路的高效能运算(HPC)产品。
台积电也指出,相较于台积公司的N2P制程,A16在相同Vdd (工作电压)下,速度增快8-10%,在相同速度下,功耗降低15至20%,芯片密度提升高达1.10倍,以支援资料中心产品。
事实上,芯片大厂英特尔(Intel)和三星电子近期也动作频频,英特尔今年2月推出全球首个专为人工智慧(AI)时代设计的系统级晶圆代工服务(Systems Foundry),并宣布微软将采用Intel 18A(A代表埃米)制程打造新芯片,并将Intel 14A制程纳入先进节点计划,预计Intel 14A最快2026年量产,将挑战台积电地位。
另外,三星电子在2023年第四季度业绩公告中表示,其晶圆代工部门已收到一份2奈米AI加速器订单,还包括配套的HBM存储器和高级封装服务,和台积电的2奈米之争也因此加剧。不过,根据三星以往揭露的路线图,埃米级SF1.4(1.4奈米)要到2027年才量产。
根据报导,中国台湾工研院产科国际所研究总监杨瑞临分析,三星在3奈米制程改采环绕闸极(GAA)架构,台积电3奈米制程技术依然采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,2奈米制程技术才改采奈米片架构,而随着台积电2奈米制程技术将于2025年下半年量产,相信台积电在转换奈米片架构进展顺利。
另外,杨瑞临也提到,英特尔将晶背供电技术命名为PowerVia,并抢先对外宣布投入发展,不过台积电这次详细说明采用超级电轨的A16技术在芯片密度等方面表现,可见技术发展顺利,整备度高,台积电不仅充分展现技术领先态势,针对不同需求类型的客户推出“物美价廉”的制程技术,将有助提高客户稳定度。
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